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1. (WO1995030246) METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING POWER FROM SEMICONDUCTOR CIRCUIT USING THERMOELECTRIC DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional

Nº de publicación: WO/1995/030246 Nº de la solicitud internacional: PCT/US1995/003396
Fecha de publicación: 09.11.1995 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.03.1995
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II: 29.09.1995
CIP:
H01L 23/38 (2006.01) ,H01L 35/30 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
34
Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de la temperatura
38
Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
35
Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles
28
funcionando exclusivamente por efecto Peltier o efecto Seebeck
30
caracterizados por los medios de cambio de calor de la unión
Solicitantes:
AST RESEARCH, INC. [US/US]; 16215 Alton Parkway Irvine, CA 92718, US
Personas inventoras:
SUSKI, Edward, D.; US
Mandataria/o:
SEWELL, Jerry, T.; Knobbe, Martens, Olson and Bear 16th floor 620 Newport Center Drive Newport Beach, CA 92660, US
Datos de prioridad:
08/235,67929.04.1994US
Título (EN) METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING POWER FROM SEMICONDUCTOR CIRCUIT USING THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE RECUPERATION DE PUISSANCE D'UN CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN D'UN DISPOSITIF THERMOELECTRIQUE
Resumen:
(EN) An apparatus and method for recovering power dissipated by a semiconductor integrated circuit (12) includes a thermoelectric generator (50) which converts the heat generated by the integrated circuit (12) into electrical energy. The electrical energy is used to drive a fan (42) or other airflow generating device to cause heated air to be moved away from the integrated circuit (12) and cooler air to be drawn to the integrated circuit (12) to absorb further heat from the integrated circuit (12). In the described embodiment, the thermoelectric generator (50) is a Peltier cooler positioned between the integrated circuit (12) and a heatsink (60). The Peltier cooler is operated in the Seebeck mode to generate power in response to the temperature differential between the integrated circuit (12) and the heatsink (60). The fan (42) is positioned proximate to the heatsink (60) to cause airflow over the heatsink (60) thereby reducing the temperature of the heatsink (60) and thus reducing the temperature of the integrated circuit (12) by causing more heat to be transferred from the integrated circuit (12) to the heatsink (60).
(FR) Appareil et procédé de récupération de la puissance dissipée par un circuit intégré à semi-conducteur (12). Ledit appareil comporte un générateur thermoélectrique (50) qui convertit la chaleur générée par le circuit intégré en énergie électrique qui est ensuite utilisée pour entraîner un ventilateur (42) ou un autre dispositif produisant un flux d'air afin d'éloigner l'air chauffé du circuit intégré (12) et d'y aspirer de l'air plus froid de sorte que la chaleur supplémentaire dégagée par celui-ci soit absorbée. Dans le mode de réalisation décrit, le générateur thermoélectrique (50) est un refroidisseur à effet Peltier placé entre le circuit intégré (12) et un puits de chaleur (60). Le refroidisseur à effet Peltier est exploité en mode Seebeck pour générer de l'énergie en réponse à un différentiel de température entre le circuit intégré (12) et le puits de chaleur (60). Le ventilateur (42) est placé à proximité du puits de chaleur (60) de manière à créer un flux d'air sur ce dernier (60) et à réduire sa température ainsi que celle du circuit intégré (12) par un transfert de chaleur plus important du circuit intégré (12) au puits de chaleur (60).
Estados designados: AU, CA, CN, JP, KR, MX
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)
También publicado como:
CA2186110KR1019977003050AU1995021231