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1. (US20140355337) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Oficina : Estados Unidos de América
Número de la solicitud: 14350434 Fecha de la solicitud: 08.10.2012
Número de publicación : 20140355337 Fecha de publicación: 04.12.2014
Número de concesión: 09293184 Fecha de concesión : 22.03.2016
Tipo de publicación : B2
Referencia PCT: Número de solicitud:PCTGB2012052493; Número de publicación: Pulse para ver los datos
CIP:
G11C 19/00
G11C 19/02
G11C 7/00
G11C 11/00
G11C 5/02
G11C 19/38
G11C 11/16
G11C 11/14
H04L 12/26
G11C 19/08
G11C 14/00
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
19
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
19
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento
02
que utilizan elementos magnéticos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
7
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
5
Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C11/96
02
Disposición de elementos de almacenamiento, p. ej. bajo la forma de una matriz
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
19
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento
38
bidimensional, p.ej. registros de desplazamiento vertical y horizontal
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02
que utilizan elementos magnéticos
16
que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02
que utilizan elementos magnéticos
14
que utilizan elementos de películas finas
H ELECTRICIDAD
04
TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
L
TRANSMISION DE INFORMACION DIGITAL, p. ej. COMUNICACION TELEGRAFICA
12
Redes de datos de conmutación
02
Detalles
26
Disposiciones de vigilancia; Disposiciones de ensayo
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
19
Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento
02
que utilizan elementos magnéticos
08
que utilizan capas finas en una estructura plana
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
14
Memorias digitales caracterizadas por disposiciones de celdas con propiedades de memoria volátil y no volátil para salvaguardar la información en caso de fallo de la alimentación
Solicitantes: University of York
Personas inventoras: Kevin O'Grady
Gonzalo Vallejo Fernandez
Atsufumi Hirohata
Mandatarias/os: DASCENZO Intellectual Property Law, P.C.
Fecha de prioridad: 1117446.3 10.10.2011 GB
Título: (EN) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device
Resumen: front page image
(EN)

There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600 Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.