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1. US20170169893 - Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 15404739
Fecha de la solicitud 12.01.2017
N.º de publicación 20170169893
Fecha de publicación 15.06.2017
Número de concesión 09934863
Fecha de concesión 03.04.2018
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
28
que utilizan celdas de detección diferencial o celdas de referencia, p.ej. celdas ficticias
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
11
Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización del funcionamiento
07
Respuesta ante la aparición de un defecto, p. ej. tolerancia ante fallos
08
Detección o corrección de errores por introducción de redundancia en la representación de los datos, p. ej. utilizando códigos de control
10
añadiendo cifras binarias o símbolos especiales a los datos expresados según un código, p. ej. control de paridad, exclusión de los 9 o de los 11
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
52
Protección de los contenidos de la memoria; Detección de errores en los contenidos de la memoria
G11C 16/28
G11C 16/10
G11C 16/34
G11C 11/56
G06F 11/10
G11C 29/52
CPC
G06F 11/1068
G11C 11/5628
G11C 11/5642
G11C 16/10
G11C 16/28
G11C 16/3427
Solicitantes International Business Machines Corporation
Inventores Thomas J. Griffin
Steven J. Hnatko
Mandatarios Martin & Associates, LLC
Derek P. Martin
Título
(EN) Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory
Resumen
(EN)

A NAND flash memory device detects the occurrence of Cell Voltage Distribution Disruption Events (CVDDEs), such as a Partial Block Program (PBP) and Program-Read-Immediate (PRI), and provides a way to dynamically adjust read voltage to account for CVDDEs. A read command includes extended addressing bits that are used when a CVDDE has occurred to access registers that indicate an adjustment to read voltage that is needed to accommodate the CVDDE. The read voltage is then dynamically adjusted to accommodate the CVDDE. When the CVDDE is no longer an issue, the read voltage is adjusted to its previous value before the CVDDE.