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1. US20150029796 - Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 13948557
Fecha de la solicitud 23.07.2013
N.º de publicación 20150029796
Fecha de publicación 29.01.2015
Número de concesión 09685206
Fecha de concesión 20.06.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
7
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital
10
Disposiciones de interfaz para entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. circuitos de control de entrada/salida (E/S) de datos, memorias intermedias de entrada/salida (E/S) de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
04
utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
04
Detección o localización de elementos de memoria defectuosos
08
Ensayo funcional, p. ej. ensayo realizado durante el refresco, autoensayo en el encendido (POST) o ensayo distribuido
12
Disposiciones integradas ("built in") para el ensayo, p. ej. autoensayo integrado (BIST)
44
Indicación o identificación de errores, p. ej. para la reparación
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
02
Detección o localización de circuitos auxiliares defectuosos, p. ej. contadores de refresco defectuosos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
G11C 7/10
G11C 16/26
G11C 11/56
G11C 16/04
G11C 16/34
G11C 29/44
CPC
G11C 7/1057
G11C 11/5642
G11C 16/00
G11C 16/0483
G11C 16/26
G11C 16/3431
Solicitantes Myung-Hoon Choi
Samsung Electronics Co., Ltd.
Jae-Yong Jeong
Ki-Tae Park
Inventores Myung-Hoon Choi
Jae-Yong Jeong
Ki-Tae Park
Mandatarios Volentine & Whitt, PLLC
Datos de prioridad 10-2012-0080247 23.07.2012 KR
Título
(EN) Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device
Resumen
(EN)

A memory device includes a memory cell array having a plurality of memory cells, and a page buffer unit including a plurality of page buffers configured to store a plurality of pieces of data sequentially read from some of the plurality of memory cells at different read voltage levels, respectively, and to perform a logic operation on the plurality of pieces of data, respectively. The memory device further includes a counting unit configured to count the number of memory cells that exist in each of a plurality of sections defined by the different read voltage levels, based on results of the logic operation.