Procesando

Espere un momento...

Configuración

Configuración

1. US20140056068 - Configuring storage cells

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 14067323
Fecha de la solicitud 30.10.2013
N.º de publicación 20140056068
Fecha de publicación 27.02.2014
Número de concesión 08854882
Fecha de concesión 07.10.2014
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
21
que utilizan elementos eléctricos
34
que utilizan dispositivos de semiconductores
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
12
Acceso, direccionamiento o asignación en sistemas o arquitecturas de memoria
02
Direccionamiento o asignación; Redireccionamiento
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
04
Detección o localización de elementos de memoria defectuosos
50
Ensayos marginales p. ej. ensayo de corriente, voltaje o velocidad
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
28
que utilizan celdas de detección diferencial o celdas de referencia, p.ej. celdas ficticias
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
02
Detección o localización de circuitos auxiliares defectuosos, p. ej. contadores de refresco defectuosos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
04
Detección o localización de elementos de memoria defectuosos
08
Ensayo funcional, p. ej. ensayo realizado durante el refresco, autoensayo en el encendido (POST) o ensayo distribuido
12
Disposiciones integradas ("built in") para el ensayo, p. ej. autoensayo integrado (BIST)
38
Dispositivos de verificación de respuesta
42
que utilizan códigos de corrección de errores (ECC) o comprobación de paridad
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
11
Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización del funcionamiento
07
Respuesta ante la aparición de un defecto, p. ej. tolerancia ante fallos
08
Detección o corrección de errores por introducción de redundancia en la representación de los datos, p. ej. utilizando códigos de control
10
añadiendo cifras binarias o símbolos especiales a los datos expresados según un código, p. ej. control de paridad, exclusión de los 9 o de los 11
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
29
Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby")
04
Detección o localización de elementos de memoria defectuosos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
G11C 11/34
G06F 12/02
G11C 29/50
G11C 16/28
G11C 29/02
G11C 29/42
CPC
G11C 16/3495
G06F 11/1048
G06F 11/1068
G06F 12/0246
G11C 11/56
G11C 11/5642
Solicitantes Fusion-io, Inc.
Intelligent Intellectual Property Holdings 2 LLC
Inventores Strasser John
Flynn David
Fillingim Jeremy
Wood Robert
Mandatarios Kunzler Law Group, PC
Título
(EN) Configuring storage cells
Resumen
(EN)

Apparatuses, systems, methods, and computer program products are disclosed for configuring storage cells. A method includes detecting a shift in a read voltage level past a read voltage threshold for a set of memory cells of a non-volatile memory medium. A method includes adjusting a read voltage threshold for the set of memory cells by an amount based at least in part on one or more characteristics of the set of memory cells in response to the shift in the read voltage level. A method includes configuring the set of memory cells to use the adjusted read voltage threshold.