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1. JP2016177860 - READING LEVEL GROUPING FOR INCREASED FLASH PERFORMANCE

Oficina Japón
Número de solicitud 2016054914
Fecha de la solicitud 18.03.2016
N.º de publicación 2016177860
Fecha de publicación 06.10.2016
Número de concesión 6218195
Fecha de concesión 06.10.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
08
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
F
TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS
11
Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización del funcionamiento
07
Respuesta ante la aparición de un defecto, p. ej. tolerancia ante fallos
14
Detección o corrección de errores en los datos por redundancia en las operaciones, p. ej. mediante la utilización de diversas secuencias de operaciones que conduzcan al mismo resultado
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G11C 16/08
G06F 11/14
G11C 11/56
CPC
G11C 16/26
G11C 16/3427
G11C 8/12
G11C 8/14
G11C 16/08
G11C 16/34
Solicitantes HGST NETHERLANDS B V
エイチジーエスティーネザーランドビーブイ
Inventores SEYHAN KARAKULAK
セイハン カラクラック
ANTHONY DWAYNE WEATHERS
アンソニー デウェン ウェザーズ
RICHARD DAVID BARNDT
リチャード デイヴィッド バント
Mandatarios 特許業務法人平木国際特許事務所
Datos de prioridad 14/664,768 20.03.2015 US
Título
(EN) READING LEVEL GROUPING FOR INCREASED FLASH PERFORMANCE
(JA) フラッシュ性能を増大させる読み出しレベルグループ化
Resumen
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the reading reliability of flash memory.

SOLUTION: A table of error counts is generated based on reading wordlines of a flash memory device, the table storing an error count for each combination of a wordline and a corresponding read level voltage used to read the wordlines. A plurality of offset wordline groups are generated based on the table of error counts, with each group associating a different reading level offset voltage with a plurality of wordline addresses. A storage device is configured to read memory cells using a reading level offset voltage of a generated offset wordline group associated with a wordline address of the memory cells to be read. After a predetermined point in a life cycle of a corresponding memory block, the table is regenerated and a plurality of offset wordline groups are regenerated based on the regenerated table of error counts.

SELECTED DRAWING: Figure 14

COPYRIGHT: (C)2017,JPO&INPIT

(JA)

【課題】フラッシュメモリの読出し信頼度を向上させる。
【解決手段】エラーカウントテーブルが、フラッシュメモリデバイスのワード線の読み出しに基づいて生成され、テーブルは、ワード線と、ワード線の読み出しに使用される各読み出しレベル電圧との各組合せのエラーカウントを記憶する。複数のオフセットワード線グループが、エラーカウントテーブルに基づいて生成され、各グループは、異なる読み出しレベルオフセット電圧を複数のワード線アドレスに関連付ける。記憶デバイスは、読み出すメモリセルのワード線アドレスに関連付けられた、生成されたオフセットワード線グループの読み出しレベルオフセット電圧を使用してメモリセルを読み出すように構成される。各メモリブロックのライフサイクルでの所定の時点後、テーブルが再生成され、複数のオフセットワード線グループが、再生成されたエラーカウントテーブルに基づいて再生成される。
【選択図】図14

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