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1. (JP2015144312) SEMICONDUCTOR DEVICE

Oficina : Japón
Número de la solicitud: 2015077468 Fecha de la solicitud: 06.04.2015
Número de publicación : 2015144312 Fecha de publicación: 06.08.2015
Número de concesión: 5961302 Fecha de concesión : 01.07.2016
Tipo de publicación : B2
CIP:
G02F 1/1368
H01L 29/786
G FISICA
02
OPTICA
F
DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES
1
Dispositivos o sistemas para el control de la intensidad, color, fase, polarización o de la dirección de la luz que llega de una fuente de luz independiente, p. ej. conmutación, apertura de puerta o modulación; Optica no lineal
01
para el control de la intensidad, fase, polarización o del color
13
basados en cristales líquidos, p. ej. celdas de presentación individuales de cristales líquidos
133
Disposiciones relativas a la estructura; Excitación de celdas de cristales líquidos; Disposiciones relativas a los circuitos
136
Celdas de cristales líquidos asociados estructuralmente con una capa o un sustrato semiconductores, p. ej. celdas que forman parte de un circuito integrado
1362
Celdas direccionadas por una matriz activa
1368
en los que el elemento de conmutación es un dispositivo de tres electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
Solicitantes: 株式会社半導体エネルギー研究所
Personas inventoras: 本田 達也
Fecha de prioridad: 2005300825 14.10.2005 JP
Título: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
Resumen:
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which reduces contact resistance between a semiconductor film and an electrode or wiring, improves the coverage factor between the semiconductor film and the electrode or the wiring, and improves the characteristics.

SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate electrode located on a substrate; a gate insulation film located on the gate electrode; a first source electrode or a first drain electrode, located on the gate insulation film; an island-shaped semiconductor film located on the first source electrode or the first drain electrode; and a second source electrode or a second drain electrode, located on the island-shaped semiconductor film and the first source electrode or the first drain electrode. The second source electrode or the second drain electrode is in contact with the first source electrode or the first drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode and the second source electrode or the second drain electrode hold the island-shaped semiconductor film therebetween. This invention relates to the semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
(JA)

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
【選択図】図1


También publicado como:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418
WO/2007/043493