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1. (WO2000061833) SEQUENTIAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

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Nº de publicación:    WO/2000/061833    Nº de la solicitud internacional:    PCT/US2000/010267
Fecha de publicación: 19.10.2000 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.04.2000
Se presentó la solicitud en virtud del Capítulo II:    06.11.2000    
CIP:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01)
Solicitantes: SHERMAN, Arthur [US/US]; (US)
Personas inventoras: SHERMAN, Arthur; (US)
Mandataria/o: DELANEY, Karoline, A.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, Sixteenth Floor, 620 Newport Center Drive, Newport Beach, CA 92660-8016 (US)
Datos de prioridad:
09/291,807 14.04.1999 US
Título (EN) SEQUENTIAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PROGRESSIF
Resumen: front page image
(EN)The present invention provides for sequential chemical vapor deposition by employing a reaction chamber (2 or 3) operated at low pressure, a pump (38), and a line (18) to introduce gas into the reaction chamber (2 or 3) through a valve (20, 22). A first reactant (28, 29) forms a monolayer on the part (12) to be coated, while a second reactant passes through a radical generator (14, 16 or 44) which partially decomposes or activates the second reactant into a gaseous radical before it impinges on the monolayer. This second reactant does not necessarily form a monolayer but is available to react with the monolayer. Excess second reactant and reaction products are pumped or purged from the reaction chamber (2 or 3) completing the process cycle. Purging can be performed, for example, by simply shutting off power to the radical generator but continuing to flow the second reactant through the chamber. The process cycle can be repeated to grow the desired thickness of film.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de dépôt chimique en phase vapeur progressif, qui consiste à utiliser une chambre de réaction (2 ou 3) fonctionnant à basse pression, une pompe (38) et une conduite (18) conçue pour alimenter en gaz la chambre de réaction (2 ou 3) par l'intermédiaire d'un robinet (20, 22). Un premier réactif (28, 29) forme une monocouche sur la partie (12) à recouvrir, tandis qu'un second réactif passe par un générateur de radicaux (14, 16 ou 44) qui décompose partiellement ou active le second réactif de manière à produire un radical gazeux avant qu'il ne précipite sur la monocouche. Ce second réactif ne forme pas nécessairement une monocouche mais il est susceptible de réagir avec la monocouche. L'excédent de second réactif et les produits de réaction sont pompés ou expulsés de manière à purger la chambre de réaction (2 ou 3), ce qui complète le cycle de traitement. On peut effectuer la purge en déconnectant simplement le générateur de radicaux et en continuant à faire passer le second réactif dans la chambre. Le cycle de traitement peut être répété jusqu'à l'obtention de l'épaisseur souhaitée du film.
Estados designados: JP, KR.
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Idioma de publicación: inglés (EN)
Idioma de la solicitud: inglés (EN)