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1. (WO2014200753) RECESSED FIELD PLATE TRANSISTOR STRUCTURES
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

Nº de publicación: WO/2014/200753 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2014/040567
Fecha de publicación: 18.12.2014 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 02.06.2014
CIP:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/40 (2006.01)
Solicitantes: CREE, INC.[US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703, US
Personas inventoras: SRIRAM, Saptharishi; US
ALCORN, Terry; US
RADULESCU, Fabian; US
SHEPPARD, Scott; US
Mandataria/o: HEYBL, Jaye, G.; Koppel, Patrick, Heybl & Philpott 2815 Townsgate Road Suite 215 Westlake Village, CA 91361, US
Datos de prioridad:
13/913,49009.06.2013US
13/929,48727.06.2013US
Título (EN) RECESSED FIELD PLATE TRANSISTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DE TRANSISTORS À PLAQUE DE CHAMP ENCASTRÉE
Resumen: front page image
(EN) A transistor device including a field plate is described. One embodiment of such a device includes a field plate separated from a semiconductor layer by a thin spacer layer. In one embodiment, the thickness of spacer layer separating the field plate from the semiconductor layers is less than the thickness of spacer layer separating the field plate from the gate. In another embodiment, the non- zero distance separating the field plate from the semiconductor layers is about 1500A or less. Devices according to the present invention can show capacitances which are less drain bias dependent, resulting in improved linearity.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de transistor comprenant une plaque de champ. Un mode de réalisation de ce dispositif comporte une plaque de champ séparée d'une couche semi-conductrice par une mince couche d'espacement. Dans un des modes de réalisation, l'épaisseur de couche d'espacement qui sépare la plaque de champ des couches semi-conductrices est inférieure à l'épaisseur de couche d'espacement qui sépare la plaque de champ de la grille. Dans un autre mode de réalisation, la distance non nulle qui sépare la plaque de champ des couches semi-conductrices est d'environ 1 500 A ou moins. Les dispositifs selon la présente invention peuvent présenter des capacités qui sont moins dépendantes de la polarité du drain, ce qui a pour effet d'améliorer la linéarité.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)