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1. (WO2014083836) LIGHT CONCENTRATION DEVICE, SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, AND IMAGE CAPTURE DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

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Nº de publicación:    WO/2014/083836    Nº de la solicitud internacional:    PCT/JP2013/006929
Fecha de publicación: 05.06.2014 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.11.2013
CIP:
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/33 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Solicitantes: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Personas inventoras: NISHIWAKI, Seiji; .
NAKAMURA, Tatsuya;
Mandataria/o: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Datos de prioridad:
2012-262739 30.11.2012 JP
Título (EN) LIGHT CONCENTRATION DEVICE, SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, AND IMAGE CAPTURE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONCENTRATION DE LUMIÈRE, ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 集光装置、固体撮像素子および撮像装置
Resumen: front page image
(EN)A solid-state image capture element according to the present disclosure, in an embodiment, comprises a photodetector array (100) wherein first photodetectors (A) and second photodetectors (B) are arrayed two-dimensionally in an image capture surface. The second photodetectors (B), which are located in a plurality of different directions which intersect with each of the first photodetectors (A), are adjacent to the first photodetectors (A). This solid-state image capture element further comprises a dispersive element array (200) wherein a plurality of dispersive elements (30) which each include a phase filter (3) are arrayed two-dimensionally, wherein said dispersive element array (200) is configured such that each of the plurality of dispersive elements (30) respectively faces each of the plurality of first photodetectors (A). By light concentration interference, the phase filters (3) cause light in a first wavelength range to enter the facing first photodetectors (A), and cause light in a second wavelength range to enter the second photodetectors (B) which are adjacent to these first photodetectors (A).
(FR)L'invention concerne un élément de capture d'image à semi-conducteur qui, dans un mode de réalisation, comprend un réseau de photodétecteurs (100) dans lequel des premiers photodétecteurs (A) et des seconds photodétecteurs (B) sont mis en réseau en deux dimensions dans une surface de capture d'image. Les seconds photodétecteurs (B), qui sont disposés dans plusieurs directions différentes entrant en intersection avec chacun des premiers photodétecteurs (A), sont adjacents aux premiers photodétecteurs (A). L'élément de capture d'image à semi-conducteur comprend en outre un réseau d'éléments dispersifs (200), dans lequel plusieurs éléments dispersifs (30) comprenant chacun un filtre de phase (3) sont mis en réseau en deux dimensions, ledit réseau d'éléments dispersifs (200) étant configuré de sorte que chacun des plusieurs éléments dispersifs (30) soit respectivement en face de chacun des plusieurs premiers photodétecteurs (A). Par interférence de concentration de lumière, les filtres de phase (3) font que la lumière dans une première plage de longueur d'onde entre dans les premiers photodétecteurs faisant face (A), et font que la lumière dans une seconde plage de longueur d'onde entre dans les seconds photodétecteurs (B) qui sont adjacents à ces premiers photodétecteurs (A).
(JA) 本開示の固体撮像素子は、実施形態において、第1光検知器Aおよび第2光検知器Bが撮像面内で二次元的に配列された光検知器アレイ100を備える。各第1光検知器Aに対して交差する複数の異なった方向に位置する第2光検知器Bが第1光検知器Aに隣接している。また、この固体撮像素子は、各々が位相フィルタ3を含む複数の分光素子30が二次元的に配列された分光素子アレイ200であって、複数の分光素子30がそれぞれ複数の第1光検知器Aに対向するように構成された分光素子アレイ200を備える。位相フィルタ3は、集光干渉により、対向する第1光検知器Aに第1の波長範囲の光を入射させ、かつ、この第1光検知器Aに隣接する第2光検知器Bに第2の波長範囲の光を入射させる。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)