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1. (WO2007055253) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional   

TranslationTraducir: Original-->español
Nº de publicación:    WO/2007/055253    Nº de la solicitud internacional:    PCT/JP2006/322299
Fecha de publicación: 18.05.2007 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.11.2006
CIP:
H01L 31/04 (2006.01)
Solicitantes: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Todos excepto los EE.UU.).
OKADA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.).
KYOUDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.).
HAYASHI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.).
TOMITA, Kenji [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.).
ARIMUNE, Hisao [JP/JP]; (JP) (Únicamente los EE.UU.)
Personas inventoras: OKADA, Kenichi; (JP).
KYOUDA, Takeshi; (JP).
HAYASHI, Kouichi; (JP).
TOMITA, Kenji; (JP).
ARIMUNE, Hisao; (JP)
Mandataria/o: FUKAI, Toshikazu; OMM Bldg. 8th Floor 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5406591 (JP)
Datos de prioridad:
2005-325878 10.11.2005 JP
2006-233302 30.08.2006 JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Resumen: front page image
(EN)A photoelectric conversion device comprises: a plurality of first conduction type crystalline semiconductor grains (2), on each surface layer of which a second conduction type semiconductor portion (4) is formed and which are bonded, at a certain interval, to the surface of a conductive substrate (1); an insulating layer (3) formed between the crystalline semiconductor gains (2) on the conductive substrate (1); a transparent conductive layer (5) formed above the insulating layer (3) and the crystalline semiconductor grains (2); and a collector electrode (7) formed on the surface of the transparent conductive layer (5). The collector electrode (7) consists of a conductive plate having a plurality of through holes (40) that allow external light to illuminate each of the crystalline semiconductor grains (2). Since a transparent light collecting layer (8) is provided on the transparent conductive layer (5) and the collector electrode (7). It is possible to eliminate shadow loss while suppressing resistance loss with a simple process and provide a photoelectric conversion device having a high efficiency.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique comprenant : une pluralité de grains semiconducteurs cristallins de type première conduction (2), sur chaque couche de surface de laquelle est constituée la portion semiconductrice (4) de type seconde conduction, et qui sont liées, à un certain intervalle, à la surface d'un substrat conducteur (1), une couche isolante (3) formée entre les grains semiconducteurs cristallins (2) sur le substrat conductif (1), une couche conductrice transparente (5) formée au-dessus de la couche d’isolation (3) et les grains semiconducteurs cristallins (2) et une électrode collectrice (7) formée à la surface de la couche conductrice transparente (5). L’électrode collectrice (7) consiste en une plaque conductrice comportant une pluralité d'orifices d'insertion (40) qui permettent à la lumière externe d'allumer chacun des grains semiconducteur cristallins (2). Puisqu’une couche collectrice lumineuse transparente (8) est fournie sur la couche conductrice transparente (5) et l’électrode collectrice (7). Il est possible d’éliminer la perte d’ombre tout en supprimant la perte de résistance par un simple processus et de fournir un dispositif de conversion photoélectrique ayant un niveau d'efficacité élevé.
(JA) 導電性基板1の表面に、表層に第2導電型の半導体部4が形成された第1導電型の結晶半導体粒子2の複数個が互いに間隔をあけて導電性基板1に接合されるとともに、該結晶半導体粒子2,2間の導電性基板1上に絶縁層3が形成され、透光性導体層5が絶縁層3上および前記結晶半導体粒子2上に形成され、さらにこの透光性導体層5の表面に集電極7が形成された光電変換装置であって、前記集電極7は前記各結晶半導体粒子2に外光の照射が可能な複数の貫通孔40が形成された導電板からなり、前記透光性導体層5および前記集電極7上に透光性集光層8を設けるので、簡便な工程により抵抗損失を抑えながらシャドウロスを無くし、高効率な光電変換装置を提供することができる。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)