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Analysis

1 / 5
1.102016117511Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren dafür
DE - 22.03.2018
Int.Class H01L 29/739
HELECTRICITY
01ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H1060
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field effect
 Appl.No 102016117511 Applicant Infineon Technologies Austria AG Inventor Dainese Matteo

Halbleiterbauteil (100, 200, 300, 400), umfassend: - einen Halbleiterkörper (40) umfassend eine erste Seite (101), ein Basisgebiet (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps und zwei Halbleitermesas (50), die voneinander getrennt sind durch eine isolierte Grabengateelektrodenstruktur (8, 12), die sich von der ersten Seite (101) in das Basisgebiet (1) erstreckt und eine Gateelektrode (12) sowie eine dielektrische Schicht (8) umfasst, welche die Gateelektrode (12) vom Halbleiterkörper (40) trennt, wobei jede der beiden Halbleitermesas (50) in einem Querschnitt senkrecht zur ersten Seite (101) ein Bodygebiet (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das einen ersten pn-Übergang (14) mit dem Basisgebiet (1) bildet, ein Latch-up-Schutzgebiet (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps, das zwischen dem Bodygebiet (2) und der ersten Seite (101) angeordnet ist und eine höhere Dotierungskonzentration als das Bodygebiet (2) aufweist, sowie ein Emittergebiet (3) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an der dielektrischen Schicht (8) und zwischen der dielektrischen Schicht (8) und dem Latch-up-Schutzgebiet (5) angeordnet ist und einen zweiten pn-Übergang mit dem Bodygebiet (2) bildet, umfasst, wobei zumindest eine der beiden Halbleitermesas (50) einen Emitterkontakt (10a) umfasst, der im Querschnitt mit dem Latch-up-Schutzgebiet (5) und dem Emittergebiet (3) einen jeweiligen ohmschen Kontakt bildet; und wobei ein Kontaktgebiet (4), das im Bodygebiet (2) einer der beiden Halbleitermesas (50) vergraben ist, eine höhere Dotierungskonzentration als das Bodygebiet (2) aufweist und einen jeweiligen ohmschen Kontakt mit dem Emitterkontakt (10a) und dem Bodygebiet (2) bildet. embedded image

2.102007029121Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, sowie Halbleiterbauelement
DE - 20.11.2008
Int.Class H01L 21/336
HELECTRICITY
01ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H1060
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
334Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type
335Field-effect transistors
336with an insulated gate
 Appl.No 102007029121 Applicant INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA Inventor CHIOLA DAVIDE

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (2) mit einer ersten Oberfläche (4); - Bilden einer Maske (6) auf der ersten Oberfläche (4), wobei die Maske (6) Öffnungen (8) zum Definieren der Lage von Gräben aufweist; - Erzeugen von Gräben (10) im Halbleiterkörper (2) unter Verwendung der Maske (6), wobei Mesa-Strukturen (12) zwischen benachbarten Gräben (10) verbleiben; - Einbringen eines ersten Dotierstoffs (16) vom ersten Leitungstyp unter Verwendung der Maske (6) in die Böden (14) der Gräben (10); - Durchführen eines ersten Temperaturschritts; - Einbringen eines zweiten Dotierstoffs (18) vom zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp zumindest in die Böden (14) der Gräben (10); und - Durchführen eines zweiten Temperaturschritts.

3.102007053279Two drive systems controlling method for vehicle i.e. hybrid vehicle, involves controlling drive systems depending on data, which are detected by air quality sensor and/or video camera and/or communication system
DE - 20.05.2009
Int.Class B60W 40/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
60VEHICLES IN GENERAL
WCONJOINT CONTROL OF VEHICLE SUB-UNITS OF DIFFERENT TYPE OR DIFFERENT FUNCTION; CONTROL SYSTEMS SPECIALLY ADAPTED FOR HYBRID VEHICLES; ROAD VEHICLE DRIVE CONTROL SYSTEMS FOR PURPOSES NOT RELATED TO THE CONTROL OF A PARTICULAR SUB-UNIT
40Estimation or calculation of driving parameters for road vehicle drive control systems not related to the control of a particular sub-unit
02related to ambient conditions
 Appl.No 102007053279 Applicant BOSCH GMBH ROBERT Inventor DURING JAN

The method involves controlling two drive systems i.e. combustion engine (102), and an electric motor-operated drive (103), of a vehicle i.e. hybrid vehicle, depending on data detected by an air quality sensor (104) and/or a video camera (105) and/or a communication system (106) from a terrestrial transmitter that is provided outside of vehicle and represents the direct environment of the vehicle. The concentrations of components that are injurious to health are determined using the quality sensor. The vehicle environment is visually detected by the camera using pattern recognition of objects. An independent claim is also included for a two drive systems controlling device comprising a communication system.

4.2264751SOI semiconductor product with backgate connection on the upper side and method for producing same
EP - 22.12.2010
Int.Class H01L 21/74
HELECTRICITY
01ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H1060
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid-state devices, or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/7086
74Making of buried regions of high impurity concentration, e.g. buried collector layers, internal connections
 Appl.No 09162702 Applicant ELMOS SEMICONDUCTOR AG Inventor FISCHER STEPHAN
The silicon-on-insulator semiconductor product (10) has a silicon-on-insulator substrate (12) with a lower semiconductor substrate (14), an upper semiconductor layer (18) and a vertical insulating layer (16). A back gate-potential connection (31) is arranged in one of the upper-sided semiconductor active areas (30). The vertical insulating layer has an irreversible, electrically conductive break-through (28) for electrical connection of the back gate-potential connection semiconductor area with the semiconductor substrate. An independent claim is also included for a method for manufacturing an upper-sided back gate-potential connection with a silicon-on-insulator semiconductor product.
5.102012202961Halbleiterbauelement mit verbessertem Dynamikverhalten
DE - 30.08.2012
Int.Class H01L 29/739
HELECTRICITY
01ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H1060
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66Types of semiconductor device
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739controlled by field effect
 Appl.No 102012202961 Applicant Infineon Technologies Austria AG Inventor Felsl Hans Peter

Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); ein erstes Emittergebiet (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps in dem Halbleiterkörper (100); ein zweites Emittergebiet (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu dem ersten Emittergebiet (11) angeordnet ist; ein Basisgebiet (13) eines Leitfähigkeitstyps, das zwischen dem ersten Emittergebiet (11) und dem zweiten Emittergebiet (12) angeordnet ist und das eine Länge (l1) in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) aufweist; wenigstens zwei höher dotierte Gebiete (14) desselben Leitfähigkeitstyps wie das Basisgebiet (13), die in dem Basisgebiet (13) angeordnet sind und die beabstandet zu dem ersten Emittergebiet (11) und dem zweiten Emittergebiet (12) angeordnet sind; wobei die wenigstens zwei höher dotierten Gebiete (14) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind und nur durch Abschnitte des Basisgebiets (13) voneinander getrennt sind, wobei ein lateraler Abstand zwischen zwei benachbarten der wenigstens zwei höher dotierten Gebiete zwischen 10% und 100% der Länge (l1) des Basisgebiets (13) beträgt.

6.000019718822Method of supplying information about movable object to control device
DE - 26.11.1998
Int.Class H04Q 7/32
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
QSELECTING
7Selecting arrangements to which subscribers are connected via radio links or inductive links
20in which the radio or inductive links are two-way links, e.g. mobile radio systems
32Mobile subscriber equipment
 Appl.No 19718822 Applicant SELECTRONIC GES FUER SICHERHEI Inventor HUBRIG HANS-JUERGEN

The method involves providing position and preferably time or motion dependent data to a control device. The current position and preferably motion data to be transferred are computed using navigation or location data. Structures surrounding the object are identified using topographical data stored in an internally generated database and using the position data. A protocol is generated from the identified structures, the position data and preferably the motion data. The protocol is passed to at least one control device.

7.102019103899Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Verarbeitung eines Leistungshalbleiterbauelements
DE - 20.08.2020
Int.Class H01L 29/10
HELECTRICITY
01ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H1060
29Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
02Semiconductor bodies
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified, or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
 Appl.No 102019103899 Applicant Infineon Technologies AG Inventor Brandt Philip Christoph

Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10) und weist ein aktives Gebiet (16) und ein Randabschlussgebiet (17) auf, wobei der Halbleiterkörper (10) innerhalb des aktiven Gebiets (16) ein Driftgebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp umfasst, und wobei das Randabschlussgebiet (17) Folgendes umfasst: ein Schutzgebiet (107) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei das Schutzgebiet (107) an einer Vorderseite (10-1) des Halbleiterkörpers (10) in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist und das aktive Gebiet (16) umgibt; und eine Feldplattengrabenstruktur (172), die sich von der Vorderseite (10-1) vertikal in den Halbleiterkörper (10) erstreckt und zumindest teilweise mit einem leitenden Material (173) gefüllt ist, wobei das leitende Material (173) mit dem Schutzgebiet (107) elektrisch verbunden ist und außerhalb des Schutzgebiets (107) durch eine Feldplattenisolationsstruktur (1725) von dem Halbleiterkörper (10) isoliert ist, wobei sich ein erster Teil (1721) der Feldplattengrabenstruktur (172) zumindest teilweise in das Schutzgebiet (107) erstreckt und zumindest teilweise unter einer Metallschicht (174), die an der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, angeordnet ist; und sich ein zweiter Teil (1722) der Feldplattengrabenstruktur (172) außerhalb des Schutzgebiets (107) erstreckt und den aktiven Bereich (16) vollständig umgibt, wobei sich die Metallschicht (174) nicht über dem zweiten Teil (1722) der Feldplattengrabenstruktur (172) erstreckt. embedded image

8.102017010285Automatisiertes Verfahren zur Überwachung von Bäumen auf Rodungsaktivitäten unter Verwendung von Beschleunigungssensoren
DE - 09.05.2019
Int.Class G08B 13/22
GPHYSICS
08SIGNALLING
BSIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
13Burglar, theft or intruder alarms
22Electrical actuation
 Appl.No 102017010285 Applicant Mennicken Guido Inventor Mennicken Guido

Es wird ein Verfahren vorgestellt, das der Überwachung von Bäumen auf Rodungsaktivitäten unter Verwendung von Beschleunigungssensoren dient. Das Verfahren umfasst nachfolgende Schritte: Installation mindestens eines Beschleunigungssensors an mindestens einem Baum oder in der Nähe des Baumes und in ausreichender Höhe, so dass das Umstürzen und/oder Aufprallen des Baumes zu einer messbaren Beschleunigung des Sensors führt. Auswertung der Beschleunigungsdaten und Erzeugung eines Alarmsignals, falls ein festgelegter Schwellenwert überschritten wird, Übertragung der Beschleunigungsdaten und/oder des abgeleiteten Alarmsignals an einen Rechner mittels gängiger elektronischer Übertragungstechnologien (Satelliten-Kommunikation, Übertragung mittels Mobilfunknetz etc.). embedded image

9.102017010402Automatisiertes Verfahren zur Überwachung von Waldgebieten auf Rodungsaktivitäten
DE - 09.05.2019
Int.Class G08B 13/16
GPHYSICS
08SIGNALLING
BSIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
13Burglar, theft or intruder alarms
16Actuation by interference with mechanical vibrations in air or other fluid
 Appl.No 102017010402 Applicant Mennicken Guido Inventor gleich Anmelder

Es wird ein Verfahren vorgestellt, dass der Überwachung von Waldgebieten auf Rodungsaktivitäten dient. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: Erstellen mindestens einer Tonaufnahme von mindestens einem Baumfäll-Werkzeug, Analysieren der Tonaufnahme und Zuordnung des Schallmusters zu dem jeweiligen Baumfäll-Werkzeug in einer Datenbank, Erstellen einer mindestens zweiten Tonaufnahme mit Hilfe von Mikrofonen in dem betreffenden Waldgebiet, Analysieren der mindestens zweiten Tonaufnahme auf typische Schallmuster, Abgleich des Schallmusters mit der Datenbank, Erkennung definierter Schallmuster, die mindestens einem Baumfäll-Werkzeug zugeordnet werden können, Auslösen eines Alarmsignals wenn ein Schallmuster mit Hilfe der Datenbank erkannt wird. embedded image

10.202012004816Speicherloser Betrieb von Elektrofahrzeugen
DE - 09.08.2012
Int.Class B60L 9/
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
60VEHICLES IN GENERAL
LPROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; SUPPLYING ELECTRIC POWER FOR AUXILIARY EQUIPMENT OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRODYNAMIC BRAKE SYSTEMS FOR VEHICLES IN GENERAL; MAGNETIC SUSPENSION OR LEVITATION FOR VEHICLES; MONITORING OPERATING VARIABLES OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES; ELECTRIC SAFETY DEVICES FOR ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES
9Electric propulsion with power supply external to the vehicle
 Appl.No 202012004816 Applicant HARTUNG WILFRIED Inventor

Speicherloser Betrieb von Elektrofahrzeugen, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromversorgung der Elektrofahrzeuge in gleich bleibender Leistungsstärke mittels stromführender Kabel, die in, unter oder auf den Fahrbahndecken eingebaut sind, berührungslos durch Sensorkontakte oder mittels Berührung über Schleifkontakte erfolgt.

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