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1. WO2022252224 - GATE VOLTAGE CONTROL METHOD AND APPARATUS OF IGBT POWER MODULE

Publication Number WO/2022/252224
Publication Date 08.12.2022
International Application No. PCT/CN2021/098420
International Filing Date 04.06.2021
IPC
H03K 17/08 2006.1
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
CPC
H03K 17/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
Applicants
  • 舍弗勒技术股份两合公司 SCHAEFFLER TECHNOLOGIES AG & CO. KG [DE]/[DE]
  • 林哲 LIN, Zhe [CN]/[CN] (SC)
Inventors
  • 林哲 LIN, Zhe
  • 韩卫军 HAN, Weijun
  • 韩辉 HAN, Hui
Agents
  • 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) LINDA LIU & PARTNERS
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) GATE VOLTAGE CONTROL METHOD AND APPARATUS OF IGBT POWER MODULE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE COMMANDE DE TENSION DE GRILLE D'UN MODULE DE PUISSANCE IGBT
(ZH) IGBT功率模块的栅极电压控制方法及装置
Abstract
(EN) The present invention relates to a gate voltage control method and apparatus of an IGBT power module. The IGBT power module comprises a first module corresponding to an upper bridge arm of the IGBT power module and a second module corresponding to a lower bridge arm of the IGBT power module. The gate voltage control method comprises: sampling the voltage between a first terminal and a second terminal; calculating an amplification factor for amplifying the gate voltage of the second module; according to the amplification factor and the sampled voltage, calculating a second voltage for compensating for the gate voltage of the second module; and controlling the gate voltage of the second module according to the second voltage. In this way, the induced voltage generated by the parasitic inductance in the IGBT power module can be eliminated, thereby preventing overvoltage or undervoltage of the gate voltage of the IGBT power module and keeping the voltage in the IGBT power module stable.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil de commande de tension de grille d'un module de puissance d'IGBT. Le module de puissance IGBT comprend un premier module correspondant à un bras de pont supérieur du module de puissance IGBT et un deuxième module correspondant à un bras de pont inférieur du module de puissance IGBT. Le procédé de commande de tension de grille comprend : l'échantillonnage de la tension entre une première borne et une deuxième borne ; le calcul d'un facteur d'amplification pour amplifier la tension de grille du deuxième module ; en fonction du facteur d'amplification et de la tension échantillonnée, le calcul d'une deuxième tension pour compenser la tension de grille du deuxième module ; et la commande de la tension de grille du deuxième module en fonction de la deuxième tension. De cette manière, la tension induite générée par l'inductance parasite dans le module de puissance IGBT peut être éliminée, ce qui permet d'empêcher une surtension ou une sous-tension de la tension de grille du module de puissance IGBT et de maintenir la tension dans le module de puissance IGBT stable.
(ZH) 本发明涉及一种IGBT功率模块的栅极电压控制方法及装置,IGBT功率模块包括与IGBT功率模块的上桥臂相对应的第一模块和与IGBT功率模块的下桥臂相对应的第二模块,该栅极电压控制方法包括:对第一端子和第二端子之间的电压进行采样;计算用于对第二模块的栅极电压进行放大的放大系数;根据所述放大系数和所采样的电压来计算用于对所述第二模块的栅极电压进行补偿的第二电压;以及根据所述第二电压来控制第二模块的栅极电压。由此,能够消除IGBT功率模块内的寄生电感所产生的感应电压,从而避免IGBT功率模块的栅极电压出现过压或不足,保持IGBT功率模块内的电压稳定。
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