(EN) This silicon carbide epitaxial substrate has a silicon carbide substrate and a silicon carbide epitaxial layer. The silicon carbide epitaxial layer is located on the silicon carbide substrate and has a main surface on the opposite side from the interface of the silicon carbide substrate and the silicon carbide epitaxial layer. The surface density of pits in the main surface is 1/cm2 or less. The surface density of bumps on the main surface is less than 0.7/cm2. When viewed in a direction perpendicular to the main surface, the area of pits is 100 μm2 or less, and the area of bumps is 100 μm2 or less. In a direction perpendicular to the main surface, the depth of pits is 0.01-0.1 μm, and the height of bumps is 0.01-0.1 μm.
(FR) La présente invention concerne un substrat épitaxique au carbure de silicium comportant un substrat au carbure de silicium et une couche épitaxique au carbure de silicium. La couche épitaxique au carbure de silicium est située sur le substrat au carbure de silicium et possède une surface principale sur le côté opposé de l'interface du substrat au carbure de silicium et de la couche épitaxique au carbure de silicium. La densité des creux sur la surface principale est de 1/cm2 ou moins. La densité des protubérances sur la surface principale est inférieure à 0,7/cm2. Lorsqu'elle est vue dans une direction perpendiculaire à la surface principale, la surface des creux est de 100 μm2 ou moins, et la surface des protubérances est de 100 μm2 ou moins. Dans une direction perpendiculaire à la surface principale, la profondeur des creux est de 0,01 à 0,1 µm, et la hauteur des protubérances est de 0,01 à 0,1 µm.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、炭化珪素エピタキシャル層と有している。炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板上にある炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板と炭化珪素エピタキシャル層との界面の反対側にある主面を有している。主面におけるピットの面密度は、１個／ｃｍ2以下である。主面におけるバンプの面密度は、０．７個／ｃｍ2未満である。主面に対して垂直な方向に見て、ピットの面積は１００μｍ2以下であり、かつ、バンプの面積は、１００μｍ2以下である。主面に対して垂直な方向において、ピットの深さは０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ、バンプの高さは０．０１μｍ以上０．１μｍ以下である。
