(EN) Provided is a feature for controlling the dimensions and/or shape of an opening to be formed in a film to be etched. A substrate processing method according to the present disclosure comprises: a step for preparing a substrate having (a) a film to be etched, (b) a mask film formed on the film to be etched and having a side wall defining at least one opening on the film to be etched, and (c) a protective film formed on at least the side wall of the mask film so as to surround the opening, and containing at least one element selected from the group consisting of boron, phosphorus, sulfur, and tin; and a step for etching the film to be etched using the protective film and the mask film as a mask.
(FR) La présente invention concerne une fonction permettant de réguler les dimensions et/ou la forme d'une ouverture à former dans un film à graver. Procédé de traitement de substrat selon la présente divulgation comprenant les étapes suivantes : préparation d'un substrat comportant (a) un film à graver, (b) un film de masque formé sur le film à graver et comportant une paroi latérale délimitant au moins une ouverture sur le film à graver, et (c) un film protecteur formé sur au moins la paroi latérale du film de masque de manière à entourer l'ouverture, et contenant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par le bore, le phosphore, le soufre et l'étain ; et gravure du film à graver en utilisant le film protecteur et le film de masque comme masque.
(JA) 被エッチング膜に形成される開口の寸法及び/又は形状を制御する技術を提供する。本開示に係る基板処理方法は、(a)被エッチング膜と、(b)前記被エッチング膜上に形成されており、前記被エッチング膜上に少なくとも1つの開口を規定する側壁を有するマスク膜と、(c)前記マスク膜のうち少なくとも前記側壁上において前記開口を囲んで形成されており、ホウ素、リン、硫黄及びスズからなる群から選択される少なくとも1つの元素を含む保護膜とを有する基板を準備する工程と、前記保護膜及び前記マスク膜をマスクとして、前記被エッチング膜をエッチングする工程とを含む。