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1. WO2022209162 - SIC MONOCRYSTAL GROWTH DEVICE AND SIC CRYSTAL GROWTH METHOD

Publication Number WO/2022/209162
Publication Date 06.10.2022
International Application No. PCT/JP2022/001564
International Filing Date 18.01.2022
IPC
C30B 29/36 2006.1
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 23/06 2006.1
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
06Heating of the deposition chamber, the substrate, or the materials to be evaporated
CPC
C30B 23/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
06Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Applicants
  • SECカーボン株式会社 SEC CARBON, LTD. [JP]/[JP]
Inventors
  • 塩見 弘 SHIOMI, Hiromu
Agents
  • 上羽 秀敏 UEBA, Hidetoshi
  • 小宮山 聰 KOMIYAMA, Satoshi
Priority Data
2021-06211231.03.2021JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) SIC MONOCRYSTAL GROWTH DEVICE AND SIC CRYSTAL GROWTH METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SIC ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE CRISTAL DE SIC
(JA) SiC単結晶成長装置およびSiC結晶成長方法
Abstract
(EN) Provided are a SiC monocrystal growth device and SiC crystal growth method that enable reduction in variation in temperature distribution in a seed crystal, and deformation of or damage to the seed crystal, and thereby growing a SiC monocrystal having few defects or cracks. A SiC monocrystal growth device (1) comprises: a heating container (10) having, at one portion (e.g., a bottom section (13)) of upper and lower portions of an inner space S delimited by a cylindrical lateral circumferential portion (14), a raw material housing part (12) in which a solid raw material (M(s)) including SiC is housed and having, at the other portion (e.g., a lid section (16)) located opposite the one portion, a base part (17) to which a seed crystal (2) of SiC is attached; and a heating means for heating the solid raw material M((s)). The seed crystal (2) is attached to the base part (17) through a first anisotropic sheet (41) having anisotropic thermal conductivity. The first anisotropic sheet (41) has a great thermal conductivity in an in-plane direction x of the sheet, and a small thermal conductivity in the thickness direction y of the sheet.
(FR) L'invention concerne un dispositif de croissance de monocristal de SiC et un procédé de croissance de cristal de SiC qui permettent de réduire la variation de la distribution de température dans un germe cristallin, et la déformation ou la détérioration du germe cristallin, et par conséquent la croissance d'un monocristal de SiC ayant peu de défauts ou de fissures. Un dispositif de croissance de monocristal de SiC (1) comprend : un récipient de chauffage (10) ayant, au niveau d'une partie (par exemple, une section inférieure (13)) de parties supérieure et inférieure d'un espace intérieur S délimité par une partie circonférentielle latérale cylindrique (14), une partie de boîtier de matière première (12) dans laquelle une matière première solide (M(s)) comprenant du SiC est logée et ayant, au niveau de l'autre partie (par exemple, une section de couvercle (16)) située à l'opposé de la première partie, une partie de base (17) à laquelle est fixé un germe cristallin (2) de SiC ; et un moyen de chauffage pour chauffer la matière première solide M((s)). Le germe cristallin (2) est fixé à la partie de base (17) à travers une première feuille anisotrope (41) ayant une conductivité thermique anisotrope. La première feuille anisotrope (41) présente une conductivité thermique élevée dans une direction dans le plan x de la feuille, et une faible conductivité thermique dans la direction de l'épaisseur y de la feuille.
(JA) 種結晶における温度分布のばらつきや、種結晶の変形や損傷を低減し、それにより欠陥や割れの少ないSiC単結晶を成長することが可能な、SiC単結晶成長装置およびSiC結晶成長方法を提供する。SiC単結晶成長装置(1)は、筒状の側周部分(14)で区画形成された内部空間Sの上下部分のうちいずれか一方の部分(例えば底部(13))に、SiCからなる固体原料(M(s))が収容される原料収容部(12)を有し、この一方の部分に対向して位置する他方の部分(例えば蓋部(16))に、SiCの種結晶(2)が取り付けられる台座部(17)を有する加熱容器(10)と、固体原料M((s))を加熱する加熱手段(3)とを備え、種結晶(2)は、熱伝導率の異方性を有する第1異方性シート(41)を介して台座部(17)に取り付けられ、第1異方性シート(41)は、シートの面内方向xの熱伝導率が大きく、シートの厚さ方向yの熱伝導率が小さい。
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