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1. WO2022209031 - MICRO-LED DISPLAY DEVICE

Publication Number WO/2022/209031
Publication Date 06.10.2022
International Application No. PCT/JP2021/045554
International Filing Date 10.12.2021
IPC
H01L 33/50 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/52 2010.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
CPC
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
Applicants
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventors
  • 吉川 貴博 YOSHIKAWA Takahiro
  • 服部 大輔 HATTORI Daisuke
  • 森島 諒太 MORISHIMA Ryota
Agents
  • 籾井 孝文 MOMII Takafumi
Priority Data
2021-05910831.03.2021JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) MICRO-LED DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MICRO-DEL
(JA) マイクロLEDディスプレイ装置
Abstract
(EN) Provided is a micro-LED display device that has excellent luminous efficiency and in which color mixture is suppressed. A micro-LED display device according to the present invention comprises, in this order from the back side: a micro-LED array substrate including a plurality of micro-LEDs; a sealing part that seals the plurality of micro-LEDs; a low-refractive-index layer; and a plurality of wavelength converting layers that are formed into partitions. Each of the wavelength converting layers is so formed as to pair up with a corresponding one of the micro-LEDs in the thickness direction. The refractive index of the low-refractive-index layer is lower than the refractive index of the sealing part and the refractive index of the wavelength converting layers. The difference between the refractive index of the low-refractive-index layer and the refractive index of the sealing part is equal to or greater than 0.10. The difference between the refractive index of the low-refractive-index layer and the refractive index of the wavelength converting layers is equal to or greater than 0.10.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'affichage à micro-DEL qui présente un excellent rendement lumineux et dans lequel un mélange de couleurs est supprimé. Un dispositif d'affichage à micro-DEL selon la présente invention comprend, dans cet ordre à partir du côté arrière : un substrat de réseau de micro-DEL comprenant une pluralité de micro-DEL ; une partie d'étanchéité qui étanchéifie la pluralité de micro-DEL ; une couche à faible indice de réfraction ; et une pluralité de couches de conversion de longueur d'onde qui sont formées en partitions. Chacune des couches de conversion de longueur d'onde est formée de manière à s'apparier avec une DEL correspondante parmi les micro-DEL dans la direction de l'épaisseur. L'indice de réfraction de la couche à faible indice de réfraction est inférieur à l'indice de réfraction de la partie d'étanchéité et à l'indice de réfraction des couches de conversion de longueur d'onde. La différence entre l'indice de réfraction de la couche à faible indice de réfraction et l'indice de réfraction de la partie d'étanchéité est supérieure ou égale à 0,10. La différence entre l'indice de réfraction de la couche à faible indice de réfraction et l'indice de réfraction des couches de conversion de longueur d'onde est supérieure ou égale à 0,10.
(JA) 発光効率に優れ、かつ、混色が抑制されたマイクロLEDディスプレイ装置を提供する。 本発明のマイクロLEDディスプレイ装置は、複数のマイクロLEDを含むマイクロLEDアレイ基板と、複数の該マイクロLEDを封止する封止部と、低屈折率層と、区画して形成された複数の波長変換層とを、背面側からこの順に備え、個々の該波長変換層は、1つの該マイクロLEDと厚み方向で対応して組となるように形成され、該低屈折率層の屈折率が、該封止部の屈折率および波長変換層の屈折率よりも低く、該低屈折率層の屈折率と該封止部の屈折率との差が、0.10以上であり、該低屈折率層の屈折率と波長変換層の屈折率との差は0.10以上である。
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