(DE) In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) - eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich mindestens eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung (R) befindet, und - eine erste Elektrode (31) und eine zweite Elektrode (32), mit denen die Halbleiterschichtenfolge (2) elektrisch kontaktiert ist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich der aktiven Zone (22) mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) aufweist, die für eine Strahlumlenkung der Strahlung (R) eingerichtet ist, und - sich die erste Elektrode (31) und die zweite Elektrode (32) an derselben Montageseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) wie die mindestens eine schräg verlaufende Facette (41, 42) befinden und die Montageseite (20) eine Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, und - eine Auskopplung der Strahlung (R) an einer der Montageseite (20) gegenüberliegenden Abstrahlseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) erfolgt.
(EN) In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises: - a semiconductor layer sequence (2), in which there is at least one active zone (22) for generating radiation (R); and - a first electrode (31) and a second electrode (32), with which the semiconductor layer sequence (2) is in electrical contact; wherein the semiconductor layer sequence (2) has, in the region of the active zone (22), at least one obliquely extending facet (41, 42) designed for a beam deflection of the radiation (R); wherein the first electrode (31) and the second electrode (32) are on the same mounting side (20) of the semiconductor layer sequence (2) as the at least one obliquely extending facet (41, 42), and the mounting side (20) is a main side of the semiconductor layer sequence (2); and wherein the radiation (R) is coupled out on an emission side (21) of the semiconductor layer sequence (2) opposite from the mounting side (20).
(FR) Dans au moins un mode de réalisation, l'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (1) qui comprend une succession de couches semi-conductrices (2) dans laquelle se trouve au moins une zone active (22) pour produire un rayonnement (R) ; et une première électrode (31) et une deuxième électrode (32) au moyen desquelles la succession de couches semi-conductrices (2) est mise en contact électrique ; la succession de couches semi-conductrices (2) comprend dans la région de la zone active (22) au moins une facette inclinée (41, 42) qui est conçue pour dévier un faisceau du rayonnement (R) ; la première électrode (31) et la deuxième électrode (32) étant disposées sur le même côté de montage (20) que la succession de couches semi-conductrices (2) comme la ou les facettes inclinées (41, 42) ; et le côté de montage (20) étant un côté principal de la succession de couches semi-conductrices (2) ; et le rayonnement (R) étant extrait sur un côté d'émission (21) de la succession de couches semi-conductrices (2) opposé au côté de montage (20).