(EN) The present application relates to a semiconductor structure and a preparation method therefor. The method comprises: providing a substrate; forming an initial trench in the substrate; forming a sacrificial layer, wherein the sacrificial layer comprises a first portion and a second portion, with the first portion filling the initial trench, and the second portion covering the upper surface of the substrate and the upper surface of the first portion; forming a segmentation groove in the second portion, so as to pattern the second portion into a sacrificial pattern, wherein the sacrificial pattern is disposed corresponding to the first portion; forming a filling layer in the segmentation groove, wherein the filling layer fills the segmentation groove; removing the sacrificial pattern and the first portion, so as to form a word-line trench; and forming a buried-type gate word line in the word-line trench.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de préparation. Le procédé comprend les étapes consistant à : fournir un substrat ; former une tranchée initiale dans le substrat ; former une couche sacrificielle, la couche sacrificielle comprenant une première partie et une deuxième partie, la première partie remplissant la tranchée initiale, et la deuxième partie recouvrant la surface supérieure du substrat et la surface supérieure de la première partie ; former une rainure de segmentation dans la deuxième partie, de manière à former un motif de la deuxième partie en un motif sacrificiel, le motif sacrificiel étant situé selon la première partie ; former une couche de remplissage dans la rainure de segmentation, la couche de remplissage remplissant la rainure de segmentation ; retirer le motif sacrificiel et la première partie, de manière à former une tranchée de ligne de mots ; et former une ligne de mots de grille de type enterrée dans la tranchée de ligne de mots.
(ZH) 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:提供基底;于基底内形成初始沟槽;形成牺牲层,牺牲层包括第一部分及第二部分;第一部分填满初始沟槽,第二部分覆盖基底的上表面及第一部分的上表面;于第二部分内形成分割槽,以将第二部分图形化为牺牲图形,牺牲图形与第一部分对应设置;于分割槽内形成填充层,填充层填满分割槽;去除牺牲图形及第一部分,以形成字线沟槽;于字线沟槽内形成埋入式栅极字线。