(EN) A semiconductor memory device is implemented as strings of storage transistors, where the storage transistors in each string have drain terminals connected to a bit line and gate terminals connected to respective word lines. In some embodiments, the semiconductor memory device includes a reference bit line structure to provide a reference bit line signal for read operation. The reference bit line structure configures word line connections to provide a reference bit line to be used with a storage transistor being selected for read access. The reference bit line structure provides a reference bit line having the same electrical characteristics as an active bit line and is configured so that no storage transistors are selected when a word line is activated to access a selected storage transistor associated with the active bit line.
(FR) Dispositif de mémoire à semi-conducteurs mis en œuvre en tant que chaînes de transistors de stockage, les transistors de stockage dans chaque chaîne comprenant des bornes de drain connectées à une ligne de bits et des bornes de grille connectées à des lignes de mots respectives. Dans certains modes de réalisation, le dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprend une structure de ligne de bits de référence afin de fournir un signal de ligne de bits de référence pour une opération de lecture. La structure de ligne de bits de référence configure des connexions de lignes de mots afin de fournir une ligne de bits de référence à utiliser avec un transistor de stockage sélectionné pour un accès en lecture. La structure de ligne de bits de référence fournit une ligne de bits de référence présentant les mêmes caractéristiques électriques qu'une ligne de bits active et est configurée de sorte qu'aucun transistor de stockage ne soit sélectionné lorsqu'une ligne de mots est activée pour accéder à un transistor de stockage sélectionné associé à la ligne de bits active.
