(EN) A semiconductor package according to an embodiment comprises: an insulating layer; a first metal layer penetrating the upper surface and lower surface of the insulating layer; and a second metal layer arranged on the first metal layer, wherein the first metal layer comprises recessed upper surfaces and lower surfaces, the second metal layer comprises protruding lower surfaces corresponding to the recessed upper surfaces of the first metal layer, and a first height between the protruding lower surfaces of the second metal layer and the lower surface of the insulating layer is smaller than a second height between the upper surface of the insulating layer and the lower surface of the insulating layer.
(FR) Un boîtier de semi-conducteur selon un mode de réalisation comprend : une couche isolante ; une première couche métallique pénétrant la surface supérieure et la surface inférieure de la couche isolante ; et une seconde couche métallique placée sur la première couche métallique, la première couche métallique comprenant des surfaces supérieures et des surfaces inférieures évidées, la seconde couche métallique comprenant des surfaces inférieures en saillie correspondant aux surfaces supérieures évidées de la première couche métallique, et une première hauteur entre les surfaces inférieures en saillie de la seconde couche métallique et la surface inférieure de la couche isolante étant inférieure à une seconde hauteur entre la surface supérieure de la couche isolante et la surface inférieure de la couche isolante.
(KO) 실시 예에 따른 반도체 패키지는 절연층; 상기 절연층의 상면 및 하면을 관통하는 제1 금속층; 및 상기 제1 금속층 상에 배치된 제2 금속층을 포함하고, 상기 제1 금속층은 오목한 상면과 하면을 포함하고, 상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층의 오목한 상면에 대응하는 볼록한 하면을 포함하고, 상기 제2 금속층의 볼록한 하면과 상기 절연층의 하면 사이의 제1 높이는 상기 절연층의 상면과 상기 절연층의 하면 사이의 제2 높이보다 작다.
