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1. WO2022163176 - NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Publication Number WO/2022/163176
Publication Date 04.08.2022
International Application No. PCT/JP2021/045852
International Filing Date 13.12.2021
IPC
H01S 5/20 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave
CPC
H01S 5/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
Applicants
  • ウシオ電機株式会社 USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
Inventors
  • 深町 俊彦 FUKAMACHI Toshihiko
Agents
  • 木村 雅宜 KIMURA Masayoshi
Priority Data
2021-01177128.01.2021JP
Publication Language Japanese (ja)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abstract
(EN) The present invention reduces the generation of heat in a nitride semiconductor light-emitting element and improves slope efficiency. A nitride semiconductor light-emitting element according to one aspect is provided with: a first conductive-type nitride semiconductor layer; an active layer located on the first conductive-type nitride semiconductor layer; a second conductive-type nitride semiconductor layer located on the active layer; a current blocking layer located on a portion of the second conductive-type nitride semiconductor layer; and a transparent conductive layer located on the second conductive-type nitride semiconductor layer and transparent to light generated in the active layer.
(FR) La présente invention réduit la génération de chaleur dans un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et améliore l'efficacité de la pente. Selon un aspect, l'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure comprenant : une première couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur ; une couche active située sur la première couche semi-conductrice de nitrure de type conducteur ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur située sur la couche active ; une couche de blocage de courant située sur une partie de la seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur ; et une couche conductrice transparente située sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur et transparente à la lumière générée dans la couche active.
(JA) 窒化物半導体発光素子の発熱を低減し、スロープ効率を向上させる。 一態様に係る窒化物半導体発光素子によれば、第1導電型窒化物半導体層と、前記第1導電型窒化物半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置する第2導電型窒化物半導体層と、前記第2導電型窒化物半導体層の一部に位置する電流狭窄層と、前記第2導電型窒化物半導体層上に位置し、前記活性層で発生される光に透明な透明導電層とを備える。
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