(EN) The present invention reduces the generation of heat in a nitride semiconductor light-emitting element and improves slope efficiency. A nitride semiconductor light-emitting element according to one aspect is provided with: a first conductive-type nitride semiconductor layer; an active layer located on the first conductive-type nitride semiconductor layer; a second conductive-type nitride semiconductor layer located on the active layer; a current blocking layer located on a portion of the second conductive-type nitride semiconductor layer; and a transparent conductive layer located on the second conductive-type nitride semiconductor layer and transparent to light generated in the active layer.
(FR) La présente invention réduit la génération de chaleur dans un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure et améliore l'efficacité de la pente. Selon un aspect, l'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure comprenant : une première couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur ; une couche active située sur la première couche semi-conductrice de nitrure de type conducteur ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur située sur la couche active ; une couche de blocage de courant située sur une partie de la seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur ; et une couche conductrice transparente située sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure de type conducteur et transparente à la lumière générée dans la couche active.
(JA) 窒化物半導体発光素子の発熱を低減し、スロープ効率を向上させる。 一態様に係る窒化物半導体発光素子によれば、第１導電型窒化物半導体層と、前記第１導電型窒化物半導体層上に位置する活性層と、前記活性層上に位置する第２導電型窒化物半導体層と、前記第２導電型窒化物半導体層の一部に位置する電流狭窄層と、前記第２導電型窒化物半導体層上に位置し、前記活性層で発生される光に透明な透明導電層とを備える。
