(EN) [Problem] To provide a semiconductor device with improved heat dissipation. [Solution] A semiconductor device which, on the semiconductor chip back surface, has protrusions formed from the same semiconductor as that of the semiconductor chip, wherein the protrusions are covered with a metal that has good thermal conductivity. By covering the protrusions with a metal, the heat dissipation from the protruding portion is improved, and it is possible to improve heat dissipation of the entire semiconductor chip. Further, heat dissipation can be further improved by adopting structures in which the protrusions covered by a metal in the chip center portion are longer than the protrusions covered by metal in the chip in the peripheral portion, and structures in which the density of protrusions covered by metal in the chip center portion is higher than the density of the protrusions covered by metal in the chip peripheral portion.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur présentant une dissipation de chaleur améliorée. La solution selon l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui, sur la surface arrière de puce à semi-conducteur, a des saillies formées à partir du même semi-conducteur que celui de la puce à semi-conducteur, les saillies étant recouvertes d'un métal qui a une bonne conductivité thermique. En recouvrant les saillies avec un métal, la dissipation de chaleur à partir de la partie en saillie est améliorée, et il est possible d'améliorer la dissipation de chaleur de toute la puce à semi-conducteur. En outre, la dissipation de chaleur peut être encore améliorée par l'adoption de structures dans lesquelles les saillies recouvertes d'un métal dans la partie centrale de puce sont plus longues que les saillies recouvertes par le métal dans la puce dans la partie périphérique, et des structures dans lesquelles la densité des saillies recouvertes par le métal dans la partie centrale de la puce est supérieure à la densité des saillies recouvertes par le métal dans la partie périphérique de la puce.
(JA) 【課題】放熱性の向上する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体チップ裏面に、半導体チップと同じ半導体からなる突起を有する半導体装置において、突起を熱伝導の良い金属で被覆する。突起を金属で被覆することにより突起部分からの放熱性を向上することができ、半導体チップ全体の放熱性を向上することができる。また、チップ中心部の金属で被覆された突起の長さをチップ周辺部の金属で被覆された突起の長さより長くする構造、チップ中心部の金属で被覆された突起の密度をチップ周辺部の金属で被覆された突起の密度より高くする構造を採用することで、さらに放熱性を向上することができる。
