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1. WO2022160214 - MEMORY ACCESS METHOD AND DEVICE

Publication Number WO/2022/160214
Publication Date 04.08.2022
International Application No. PCT/CN2021/074251
International Filing Date 28.01.2021
IPC
G06F 12/06 2006.1
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, address space extension, memory dedication
CPC
G06F 12/06
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 范团宝 FAN, Tuanbao
  • 俞东斌 YU, Dongbin
  • 崔永 CUI, Yong
  • 孔飞 KONG, Fei
  • 时小山 SHI, Xiaoshan
Agents
  • 北京中博世达专利商标代理有限公司 BEIJING ZBSD PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) MEMORY ACCESS METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ACCÈS MÉMOIRE
(ZH) 一种访问内存的方法和装置
Abstract
(EN) The present application relates to the technical field of memory access. Disclosed are a memory access method and device, capable of reducing power consumption of a multi-channel memory chip and improving energy efficiency of the multi-channel memory chip. The device comprises: a controller, configured to determine, according to an access address of a first access command, that the first access command is to access a first storage area or a second storage area in a memory chip, wherein the first storage area and the second storage area do not overlap, the memory chip comprises a plurality of memory dies, the first storage area occupies a first number of memory dies in the memory chip, the second storage area occupies a second number of memory dies in the memory chip, and the first number is smaller than the second number; and a channel interleaver, configured to turn on the first number of memory dies when the controller determines that the first access command is to access the first storage area, and turn on the second number of memory dies when the controller determines that the first access command is to access the second storage area. The embodiments of the present application are used for accessing a memory chip.
(FR) La présente demande se rapporte au domaine technique de l'accès mémoire. Sont divulgués un procédé et un dispositif d'accès mémoire, permettant de réduire la consommation d'énergie d'une puce mémoire à canaux multiples et d'améliorer l'efficacité énergétique de la puce mémoire à canaux multiples. Le dispositif comprend : un dispositif de commande, configuré pour déterminer, selon une adresse d'accès d'une première commande d'accès, que la première commande d'accès doit accéder à une première zone de stockage ou à une seconde zone de stockage dans une puce mémoire, la première zone de stockage et la seconde zone de stockage ne se chevauchant pas, la puce mémoire comprenant une pluralité de microplaquettes de mémoire, la première zone de stockage occupant un premier nombre de microplaquettes de mémoire dans la puce mémoire, la seconde zone de stockage occupant un second nombre de microplaquettes de mémoire dans la puce de mémoire, et le premier nombre étant inférieur au second nombre ; et un entrelaceur de canaux, configuré pour activer le premier nombre de microplaquettes de mémoire lorsque le dispositif de commande détermine que la première commande d'accès doit accéder à la première zone de stockage, et activer le second nombre de microplaquettes de mémoire lorsque le dispositif de commande détermine que la première instruction d'accès doit accéder à la seconde zone de stockage. Les modes de réalisation de la présente demande sont utilisés pour accéder à une puce mémoire.
(ZH) 本申请公开了一种访问内存的方法和装置,涉及内存访问技术领域,能够降低多通道内存芯片的功耗,提升多通道内存芯片能效。该装置包括:控制器,用于根据第一访问命令的访问地址确定第一访问命令访问内存芯片中的第一存储区域或第二存储区域;第一存储区域与第二存储区域不重叠;内存芯片包括多个内存裸片,第一存储区域占用内存芯片中第一数量的内存裸片,第二存储区域占用内存芯片的第二数量的内存裸片,第一数量小于第二数量;通道交织器,用于在控制器确定第一访问命令访问第一存储区域时,导通第一数量的内存裸片;在控制器确定第一访问命令访问第二存储区域时,导通数量的内存裸片。本申请实施例用于访问内存芯片。
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