(EN) Semiconductor device structures and methods for manufacturing the same are provided. The semiconductor device structure includes a substrate, a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, a gate electrode, a first electrode, a first via and a second via. The substrate has a first surface and a second surface. The first nitride semiconductor layer is disposed on the first surface of the substrate. The second nitride semiconductor layer is disposed on the first nitride semiconductor layer and has a bandgap exceeding that of the first nitride semiconductor layer. The gate electrode and the first electrode are disposed on the second nitride semiconductor layer. The first via extends from the second surface and is electrically connected to the first electrode. The second via extends from the second surface. The depth of the first via is different from the depth of the second via.
(FR) L'invention concerne des structures de dispositif à semi-conducteur et leurs procédés de fabrication. La structure de dispositif à semi-conducteur comprend un substrat, une première couche de semi-conducteur au nitrure, une seconde couche de semi-conducteur au nitrure, une électrode de grille, une première électrode, un premier trou d'interconnexion et un second trou d'interconnexion. Le substrat présente une première surface et une seconde surface. La première couche semi-conductrice au nitrure est disposée sur la première surface du substrat. La seconde couche semi-conductrice au nitrure est disposée sur la première couche semi-conductrice au nitrure et présente une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice au nitrure. L'électrode de grille et la première électrode sont disposées sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le premier trou d'interconnexion s'étend à partir de la seconde surface et est électriquement connecté à la première électrode. Le second trou d'interconnexion s'étend à partir de la seconde surface. La profondeur du premier trou d'interconnexion est différente de la profondeur du second trou d'interconnexion.