(EN) Embodiments of the present application provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for implementing both polysilicon TFTs and oxide TFTs with less process complication. The semiconductor device includes first and second thin film transistor structures formed on a substrate. The first TFT structure includes a first transistor and a capacitor on the first transistor, and the second TFT structure includes a bottom metal layer, a second insulating layer on the bottom metal layer, and a second transistor on the second insulating layer. A lower electrode of the capacitor comprises the same metal material as the bottom metal layer, a dielectric layer of the capacitor comprises the same insulator material as the second insulating layer, and the upper electrode of the capacitor comprises the same oxide semiconductor material as a semiconductor active layer of the second transistor.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente demande concerne un dispositif à semi-conducteurs et son procédé de fabrication permettant de mettre en œuvre des TFT en polysilicium et des TFT en oxyde avec moins de complications de traitement. Le dispositif à semi-conducteurs comprend des première et seconde structures de transistor à couches minces formées sur un substrat. La première structure de TFT comprend un premier transistor et un condensateur sur le premier transistor, et la seconde structure de TFT comprend une couche métallique inférieure, une seconde couche isolante sur la couche métallique inférieure, et un second transistor sur la seconde couche isolante. Une électrode inférieure du condensateur comprend le même matériau métallique que la couche métallique inférieure, une couche diélectrique du condensateur comprend le même matériau isolant que la seconde couche isolante, et l'électrode supérieure du condensateur comprend le même matériau semi-conducteur en oxyde que la couche active semi-conductrice du second transistor.
