(EN) A semiconductor device includes a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, a gate structure, a first spacer and a second spacer. The second nitride semiconductor layer is formed on the first nitride semiconductor layer and having a greater bandgap than that of the first nitride semiconductor layer. The gate structure is disposed on the second nitride semiconductor layer. The first spacer is disposed on the second nitride semiconductor layer. The second spacer is disposed on the second nitride semiconductor layer and spaced apart from the first spacer by the gate structure. The bottom of the first spacer has a first width, the bottom of the second spacer has a second width, and the first width is different from the second width.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend une première couche semi-conductrice au nitrure, une seconde couche semi-conductrice au nitrure, une structure de grille, un premier espaceur et un second espaceur. La seconde couche semi-conductrice au nitrure est formée sur la première couche semi-conductrice au nitrure et présente une bande interdite supérieure à celle de la première couche semi-conductrice au nitrure. La structure de grille est disposée sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le premier espaceur est disposé sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure. Le second espaceur est disposé sur la seconde couche semi-conductrice au nitrure et espacé du premier espaceur au moyen de la structure de grille. La partie inférieure du premier espaceur présente une première largeur, la partie inférieure du second espaceur présente une seconde largeur, et la première largeur est différente de la seconde largeur.