(EN) Provided are a resistive random access memory and a preparation method therefor. The resistive random access memory comprises a resistive layer, an upper electrode and a barrier structure, wherein the resistive layer is arranged on a substrate; the upper electrode is arranged on the resistive layer; and the barrier structure is arranged between the resistive layer and the upper electrode, and is used for allowing electrons to pass through a conduction band of the barrier structure when a device executes an erasure operation, thereby preventing a defect from being formed in the resistive layer, resulting in a reverse breakdown of the resistive layer. An oxide layer in a non-complete ratio is added between a resistive layer and an upper electrode, and is taken as a barrier structure, such that during an erasure operation of a device, when an applied erasure voltage is gradually increased, a conduction band energy level of the resistive layer is made even with a conduction band energy level of the oxide layer, and electrons pass through a conduction band of the barrier structure, thereby preventing excessive defects from being formed in the resistive layer. Therefore, a reverse breakdown does not occur in the device, so that the durability of the device is further improved.
(FR) L’invention concerne une mémoire vive résistive et son procédé de préparation. La mémoire vive résistive comprend une couche résistive, une électrode supérieure et une structure barrière, la couche résistive étant disposée sur un substrat ; l'électrode supérieure est disposée sur la couche résistive ; et la structure barrière est disposée entre la couche résistive et l'électrode supérieure, et est utilisée pour permettre aux électrons de passer à travers une bande de conduction de la structure barrière lorsqu'un dispositif exécute une opération d'effacement, empêchant ainsi un défaut d'être formé dans la couche résistive, conduisant à une rupture inverse de la couche résistive. Une couche d'oxyde dans un rapport non complet est ajoutée entre une couche résistive et une électrode supérieure, et est prise en tant que structure barrière, de telle sorte que pendant une opération d'effacement d'un dispositif, lorsqu'une tension d'effacement appliquée est progressivement augmentée, un niveau d'énergie de bande de conduction de la couche résistive est réalisé même avec un niveau d'énergie de bande de conduction de la couche d'oxyde, et des électrons passent à travers une bande de conduction de la structure de barrière, empêchant ainsi des défauts excessifs d'être formés dans la couche résistive. Par conséquent, une rupture inverse ne se produit pas dans le dispositif, de telle sorte que la durabilité du dispositif est encore améliorée.
(ZH) 本公开提供了一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括：阻变层、上电极和势垒结构，阻变层设置于衬底上；上电极设置于阻变层上；势垒结构设置于阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从势垒结构的导带通过，避免阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿。通过在阻变层和上电极之间增加一层非完全配比的氧化层作为势垒结构，在该器件的擦除操作过程中，当施加的擦除电压逐渐增大时，阻变层的导带能级会与该氧化层的导带能级拉平，电子从势垒结构的导带中通过，避免了阻变层中形成过多的缺陷，因此器件不会出现反向击穿，使得器件的耐久性得以进一步提高。
