(EN) This semiconductor optical element is provided with a first cladding layer (102) formed on a substrate (101) composed of Si, a semiconductor layer (104) formed on the first cladding layer (102), and a second cladding layer (110) formed on the semiconductor layer (104). The semiconductor layer (104) has formed therein an active layer (105) and a p-type layer (106) and an n-type layer (107) which are disposed with the active layer (105) therebetween and in contact with the active layer (105) in plan view. A p-type electrode (108) is electrically connected to the p-type layer (106). An n-type electrode (109) is electrically connected to the n-type layer (107). The active layer (105) is formed in a core shape extending in a predetermined direction. The semiconductor optical element is further provided with an optical coupling layer (103) which is embedded in the first cladding layer (102) so as to be optically couplable to the active layer (105), and is formed in a core shape extending along the active layer (105).
(FR) La présente invention concerne un élément optique à semi-conducteur comprenant une première couche de gainage (102) formée sur un substrat (101) composé de Si, une couche semi-conductrice (104) formée sur la première couche de gainage (102), et une seconde couche de gainage (110) formée sur la couche semi-conductrice (104). Elle concerne également la couche semi-conductrice (104) dans laquelle est formée une couche active (105) et une couche de type p (106) et une couche de type n (107) qui sont disposées avec la couche active (105) entre elles et en contact avec la couche active (105) dans une vue en plan. Une électrode de type p (108) est électriquement connectée à la couche de type p (106). Une électrode de type n (109) est électriquement connectée à la couche de type n (107). La couche active (105) est formée sous une forme de noyau s'étendant dans une direction prédéterminée. L'élément optique à semi-conducteur est en outre pourvu d'une couche de couplage optique (103) qui est incorporée dans la première couche de gainage (102) de manière à être optiquement couplée à la couche active (105), et est formée sous une forme de noyau s'étendant le long de la couche active (105).
(JA) 半導体光素子は、Ｓｉから構成された基板（１０１）の上に形成された第１クラッド層（１０２）と、第１クラッド層（１０２）の上に形成された半導体層（１０４）と、半導体層（１０４）の上に形成された第２クラッド層（１１０）とを備える。半導体層（１０４）には、活性層（１０５）と、平面視で活性層（１０５）を挾んで活性層（１０５）に接して配置されたｐ型層（１０６）およびｎ型層（１０７）とが形成されている。ｐ型層（１０６）には、ｐ型電極（１０８）が電気的に接続し、ｎ型層（１０７）には、ｎ型電極（１０９）が電気的に接続している。活性層（１０５）は、所定の方向に延在するコア形状に形成されている。また、この半導体光素子は、活性層（１０５）と光結合可能な状態で第１クラッド層（１０２）に埋め込まれて、活性層（１０５）に沿って延在するコア形状に形成された光結合層（１０３）を備える。
