(EN) The present disclosure relates to a quantum dot light-emitting diode and a preparation method therefor. The preparation method comprises the steps of: forming a hole transport layer on an anode, the hole transport layer comprising a TFB; covering the hole transport layer with a layer of treating fluid, and performing a heating treatment, the treating fluid comprising a halogen-containing compound; forming a quantum dot light-emitting layer on the treated hole transport layer; and forming a cathode on the quantum dot light-emitting layer so as to obtain a quantum dot light-emitting diode. In the present disclosure, a surface of a hole transport layer of a TFB is post-treated by using a halogen-containing compound. Due to the presence of a halogen, the HOMO energy level of the TFB can be reduced, thereby reducing an interface barrier between the TFB and a quantum dot, improving the transport capability of a hole from the TFB to the quantum dot, improving the overall hole transport efficiency of a device, improving the luminous efficiency of the device, reducing damage to functional layers in the device and also increasing the service life of the device.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques et son procédé de préparation. Le procédé de préparation comprend les étapes consistant à : former une couche de transport de trous sur une anode, la couche de transport de trous comprenant un TFB ; recouvrir la couche de transport de trous avec une couche de fluide de traitement, et effectuer un traitement de chauffage, le fluide de traitement comprenant un composé contenant un halogène ; former une couche électroluminescente à points quantiques sur la couche de transport de trous traitée ; et former une cathode sur la couche électroluminescente à points quantiques de manière à obtenir une diode électroluminescente à points quantiques. Dans la présente invention, une surface d'une couche de transport de trous d'un TFB est post-traitée à l'aide d'un composé contenant de l'halogène. Du fait de la présence d'un halogène, le niveau d'énergie HOMO du TFB peut être réduit, réduisant ainsi une barrière d'interface entre le TFB et un point quantique, améliorant la capacité de transport d'un trou de la TFB au point quantique, améliorant l'efficacité globale de transport de trous d'un dispositif, améliorant l'efficacité lumineuse du dispositif, réduisant des dommages aux couches fonctionnelles dans le dispositif et également augmentant la durée de vie du dispositif.
(ZH) 本公开涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。所述制备方法包括步骤：在阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层包括TFB；在所述空穴传输层上覆盖一层处理液，进行加热处理；其中所述处理液包括含卤素元素的化合物；在处理后的空穴传输层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。本公开使用含卤素元素的化合物对TFB空穴传输层表面进行后处理，由于有卤素的存在，可以降低TFB的HOMO能级，从而减小了TFB和量子点之间的界面势垒，提高空穴从TFB向量子点的传输能力，提高了器件整体的空穴传输效率，提高了器件的发光效率，同时也减少了对器件中功能层的损伤，也提高了器件的寿命。
