(EN) An optical proximity correction method, a mask, a readable storage medium, and a computer device. Said correction method comprises: acquiring photolithographic mask design patterns (S102); selecting, from the photolithographic mask design patterns, an isolated metal pattern (10, 20) meeting a first condition (S104); pre-processing the isolated metal pattern (10, 20), so as to cause the widths of two ends of the isolated metal pattern (10, 20) to be greater than the width of the middle (S106); and obtaining a mask-making pattern according to the pre-processed isolated metal pattern (10, 20) (S108). Additional OPC processing is performed on the isolated metal pattern (10, 20), so as to cause the widths of both ends of the isolated metal pattern (10, 20) are greater than the width of the middle, avoiding the problem that after the isolated metal pattern (10, 20) forms a metal line, line shortage occurs at the ends due to an optical proximity effect, which causes the metal line to have a poor wrapping effect on filling of filled holes in the previous layer and leads to fluctuation of key parameters of a device, so that a product can have a stable performance.
(FR) La présente invention concerne un procédé de correction de proximité optique, un masque, un support de stockage lisible et un dispositif informatique. Ledit procédé de correction consiste à : acquérir des motifs de conception de masque photolithographique (S102) ; sélectionner, parmi les motifs de conception de masque photolithographique, un motif métallique isolé (10, 20) satisfaisant une première condition (S104) ; prétraiter le motif métallique isolé (10, 20) de façon à faire en sorte que la largeur de deux extrémités du motif métallique isolé (10, 20) soit supérieure à la largeur du milieu (S106) ; et obtenir un motif de fabrication de masque selon le motif métallique isolé (10, 20) prétraité (S108). Un traitement OPC supplémentaire est effectué sur le motif métallique isolé (10, 20) de manière à faire en sorte que la largeur des deux extrémités du motif métallique isolé (10, 20) soit supérieure à la largeur du milieu, ce qui permet d'éviter le problème qui consiste en ce qu'après que le motif métallique isolé (10, 20) ait formé une ligne métallique, un raccourcissement de ligne se produit au niveau des extrémités en raison d'un effet de proximité optique, ce qui fait en sorte que la ligne métallique a un mauvais effet d'enveloppement sur le remplissage de trous remplis dans la couche précédente et qui mène à une fluctuation de paramètres clés d'un dispositif, de sorte qu'un produit peut avoir une performance stable.
(ZH) 一种光学邻近效应校正方法、掩膜版、可读存储介质及计算机设备，校正方法包括：获取光刻掩膜设计图形（S102）；从光刻掩膜设计图形中选中符合第一条件的孤立金属图形（10，20）（S104）；对孤立金属图形（10，20）进行预处理，使孤立金属图形（10，20）两端的宽度大于中间的宽度（S106）；根据预处理后的孤立金属图形（10，20）得到掩膜版制版图形（S108）。对孤立金属图形（10，20）进行额外的OPC处理，使孤立金属图形（10，20）两端的宽度均大于中间的宽度，能够避免因光学邻近效应导致的孤立金属图形（10，20）形成金属线条后在端部出现线条短缺，使得金属线条对前一层次填充孔的填充包裹效果较差，导致器件关键参数波动的问题，使得产品性能更稳定。
