(EN) Provided are a memory and an electronic device, which relate to the technical field of memories, and by means of which the reversal speed of a free layer can be increased. The memory comprises a plurality of storage units, which are arranged in a storage region of the memory and are distributed in an array, and a bit line, wherein each storage unit comprises a transistor and a magnetic tunneling junction (MTJ) element connected to the transistor; the MTJ element is arranged in a current transmission path between a source electrode or a drain electrode of the transistor and the bit line; the MTJ element comprises a pinning layer, a reference layer, a tunneling layer and a free layer, which are successively arranged in a stacked manner; and the magnetization direction of the pinning layer is parallel to the stacking direction of the layers in the MTJ. The memory further comprises a first magnetic structure arranged in the current transmission path, wherein the direction of a magnetic field generated in the free layer by the first magnetic structure is not parallel to the magnetization direction of the free layer.
(FR) L'invention concerne une mémoire et un dispositif électronique, qui se rapportent au domaine technique des mémoires et permettent d'augmenter la vitesse d'inversion d'une couche libre. La mémoire comprend une pluralité d'unités de stockage, qui sont disposées dans une région de stockage de la mémoire et sont réparties dans un réseau, et une ligne de bits, chaque unité de stockage comprenant un transistor et un élément de jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) connecté au transistor ; l'élément MTJ est disposé dans un trajet de transmission de courant entre une électrode de source ou une électrode de drain du transistor et la ligne de bits ; l'élément MTJ comprend une couche d'ancrage, une couche de référence, une couche à effet tunnel et une couche libre, qui sont disposées successivement de manière empilée ; et la direction de magnétisation de la couche d'ancrage est parallèle à la direction d'empilement des couches dans la MTJ. La mémoire comprend en outre une première structure magnétique disposée dans le trajet de transmission de courant, la direction d'un champ magnétique généré dans la couche libre par la première structure magnétique n'étant pas parallèle à la direction de magnétisation de la couche libre.
(ZH) 本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以提高自由层的翻转速度。该存储器包括设置于存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元以及位线，存储单元包括晶体管以及与晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；MTJ元件设置于晶体管的源极或者漏极与位线之间的电流传输路径上；MTJ元件包括依次层叠设置的钉扎层、参考层、隧穿层和自由层；钉扎层的磁化方向平行于MTJ中各层的堆叠方向；存储器还包括设置于电流传输路径上的第一磁性结构；其中，第一磁性结构在自由层产生的磁场的方向与自由层的磁化方向不平行。
