(EN) A multi-wavelength LED structure (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) and a manufacturing method therefor. The multi-wavelength LED structure (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) comprises: a first semiconductor layer (11), a stress release layer (12) having a V-shaped pit (12a), a first quantum well layer (131) and a second quantum well layer (132), which are stacked, from bottom to top, on a side wall of the V-shaped pit (12a) and a top wall of the stress release layer (12), and a second semiconductor layer (14) that is located on the second quantum well layer (132), wherein the conduction type of the second semiconductor layer (14) is the opposite of that of the first semiconductor layer (11). The thickness of the quantum well layer that is epitaxially grown on the side wall of the V-shaped pit (12a) is smaller than that of the quantum well layer grown on the top wall, the thickness of the quantum well layer is small, a corresponding forbidden band width is large, a light-emission wavelength is short, and carriers can easily tunnel, such that the light-emission efficiency of the quantum well layer close to an N-type semiconductor layer can be improved. Different recombination areas of an electron-hole pair correspond to different light-emission colors, such that the use of a complex drive circuit is avoided, the service life is long, and the reliability is high. Moreover, the color rendering property is good, and the light-emission wavelength can be freely adjusted.
(FR) L'invention concerne une structure de DEL à longueurs d'onde multiples (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) et son procédé de fabrication. La structure de DEL à longueurs d'onde multiples (1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) comprend : une première couche semi-conductrice (11), une couche de libération de contrainte (12) ayant une fosse en forme de V (12a), une première couche de puits quantique (131) et une seconde couche de puits quantique (132), qui sont empilées, de bas en haut, sur une paroi latérale du creux en forme de V (12a) et une paroi supérieure de la couche de libération de contrainte (12), et une seconde couche semi-conductrice (14) qui est située sur la seconde couche de puits quantique (132), le type de conduction de la seconde couche semi-conductrice (14) étant l'opposé de celui de la première couche semi-conductrice (11). L'épaisseur de la couche de puits quantique qui est soumise à une croissance épitaxiale sur la paroi latérale de la fosse en forme de V (12a) est inférieure à celle de la couche de puits quantique développée sur la paroi supérieure, l'épaisseur de la couche de puits quantique est petite, une largeur de bande interdite correspondante est large, une longueur d'onde d'émission de lumière est courte, et des supports peuvent facilement être tunnel, de telle sorte que l'efficacité d'émission de lumière de la couche de puits quantique proche d'une couche semi-conductrice de type N peut être améliorée. Différentes zones de recombinaison d'une paire électron-trou correspondent à différentes couleurs d'émission de lumière, de telle sorte que l'utilisation d'un circuit d'attaque complexe est évitée, la durée de vie est longue, et la fiabilité est élevée. De plus, la propriété de rendu de couleur est bonne, et la longueur d'onde d'émission de lumière peut être réglée librement.
(ZH) 一种多波长LED结构（1、2、3、4、5、6、7、8）及其制作方法，多波长LED结构（1、2、3、4、5、6、7、8）包括：第一半导体层（11）、具有V形坑（12a）的应力释放层（12）、自下而上层叠于V形坑（12a）的侧壁以及应力释放层（12）的顶壁的第一量子阱层（131）与第二量子阱层（132），以及位于第二量子阱层（132）上的第二半导体层（14），第二半导体层（14）的导电类型与第一半导体层（11）的导电类型相反。利用外延生长在V形坑（12a）侧壁的量子阱层的厚度小于生长在顶壁的量子阱层的厚度，量子阱层的厚度小，对应的禁带宽度大，发光波长短，载流子易于隧穿，可提高靠近N型半导体层的量子阱层的发光效率，电子空穴对复合在不同区域对应的发光颜色不同，避免使用复杂驱动电路、寿命长、可靠性高，同时，显色性好且发光波长可自由调整。
