(DE) Die Erfindung bezieht sich unter anderem auf einen Fotoleiter (10) mit einem Schichtpaket (13), das mehrere fotoleitende Halbleiterschichten (131-134) umfasst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Schichtpaket (13) zumindest zwei Subpakete (130) umfasst, die jeweils zumindest eine erste fotoleitende Halbleiterschicht (131) und eine zweite fotoleitende Halbleiterschicht (132) umfassen, wobei bei jedem der Subpakete (130) die erste und zweite fotoleitende Halbleiterschicht (131, 132) unterschiedlich hoch dotiert sind.
(EN) The invention relates inter alia to a photoconductor (10) comprising a multilayer (13) which comprises a plurality of photoconductive semiconductor layers (131-134). According to the invention, the multilayer (13) comprises at least two sublayers (130) which each comprise at least a first photoconductive semiconductor layer (131) and a second photoconductive semiconductor layer (132), wherein the first and the second photoconductive semiconductor layer (131, 132) are doped to different degrees for each of the sublayers (130).
(FR) L'invention concerne, entre autres, un photoconducteur (10) comprenant une multicouche (13) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices photoconductrices (131-134). Selon l'invention, la multicouche (13) comprend au moins deux sous-couches (130) qui comprennent chacune au moins une première couche semi-conductrice photoconductrice (131) et une seconde couche semi-conductrice photoconductrice (132), la première et la seconde couche semi-conductrice photoconductrice (131, 132) étant dopées à différents degrés pour chacune des sous-couches (130).