(EN) According to embodiments of the present invention, a photodiode detector is provided. The photodiode detector includes an optical cavity including an overlying light-receiving portion and an underlying mirror; and a GeSn absorption layer. The GeSn absorption layer may be disposed within the optical cavity and arranged between the overlying light-receiving portion and the underlying mirror. The overlying light-receiving portion may be configured to receive light to be detected by the photodiode detector. According to further embodiments of the present invention, a method of fabricating a photodiode detector is also provided.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne un détecteur à photodiode. Le détecteur à photodiode comprend : une cavité optique comprenant une partie de réception de lumière sous-jacente et un miroir sous-jacent ; et une couche d'absorption de GeSn. La couche d'absorption de GeSn peut être disposée dans la cavité optique et entre la partie de réception de lumière sous-jacente et le miroir sous-jacent. La partie de réception de lumière sous-jacente peut être configurée pour recevoir la lumière à détecter par le détecteur à photodiode. Selon d'autres modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un détecteur à photodiode.