(EN) The present invention provides a thin film transistor comprising: a substrate comprising a gate electrode; a gate insulating film positioned over the entire surface of the substrate; a semiconductor layer positioned over the entire surface of the gate insulating film; and source/drain electrodes positioned on the semiconductor layer and away from each other, wherein the semiconductor layer comprises cesium tin triiodide (CsSnI3) or methylammonium tin triiodide (MASnI3) and further comprises an additive.
(FR) La présente invention concerne un transistor à couches minces comprenant : un substrat comprenant une électrode de grille ; un film d'isolation de grille positionné sur toute la surface du substrat ; une couche semi-conductrice positionnée sur toute la surface du film isolant de grille ; et des électrodes de source/drain positionnées sur la couche semi-conductrice et éloignées l'une de l'autre, la couche semi-conductrice comprenant du triiodure d'étain de césium (CsSnI3) ou du triiodure d'étain de méthylammonium (MASnI3) et comprenant en outre un additif.
(KO) 본 발명은 게이트 전극을 포함하는 기판; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 cesium tin triiodide (CsSnI3) 또는 methylammonium tin triiodide(MASnI3)을 포함하고, 상기 반도체층은 첨가제를 더 포함하는 박막 트랜지스터를 개시한다.