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1. WO2022090737 - GAS ABATEMENT BY PLASMA

Publication Number WO/2022/090737
Publication Date 05.05.2022
International Application No. PCT/GB2021/052820
International Filing Date 01.11.2021
IPC
H01J 37/32 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes
H05H 1/26 2006.1
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
26Plasma torches
C23C 16/44 2006.1
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition (CVD) processes
44characterised by the method of coating
B01D 53/32 2006.1
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
53Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases or aerosols
32by electrical effects other than those provided for in group B01D61/89
CPC
B01D 2251/102
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
10Oxidants
102Oxygen
B01D 2251/104
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
10Oxidants
104Ozone
B01D 2251/202
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
20Reductants
202Hydrogen
B01D 2251/208
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
20Reductants
208Hydrocarbons
B01D 2251/30
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
30Alkali metal compounds
B01D 2251/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
DSEPARATION
2251Reactants
40Alkaline earth metal or magnesium compounds
Applicants
  • EDWARDS LIMITED [GB]/[GB]
Inventors
  • MAGNI, Simone
  • CONDON, Neil
  • WAGENAARS, Erik
Agents
  • NORTON, Ian
Priority Data
2017320.902.11.2020GB
Publication Language English (en)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) GAS ABATEMENT BY PLASMA
(FR) RÉDUCTION DE GAZ PAR PLASMA
Abstract
(EN) An apparatus and method for treating an effluent stream from a semiconductor processing tool are disclosed. The plasma abatement apparatus is for treating an effluent stream from a semiconductor processing tool, the plasma abatement apparatus comprises: a plasma device configured to generate a plasma stream from a plasma gas; an effluent stream aperture configured to convey the effluent stream into the plasma stream for treatment by the plasma stream; a first aperture positioned to deliver a reducing reactant to a first region of the plasma stream; and a second aperture positioned to deliver an oxidising reactant to a second region of the plasma stream, wherein the second region is located at a position of the plasma stream which is cooler than the first region. In this way, the reducing reagent is introduced into a hotter region of the plasma stream and the oxidizing reagent is introduced into a cooler region of the plasma stream. This enables the reducing reaction to be more effective since the reducing reactant is present in the hotter region and the absence of the oxidizing reactant in this hotter region reduces the presence of thermally created undesirable oxides. Similarly, the introduction of the oxidizing reactant helps to remove by- products generated by the reducing reaction, and because the oxidizing reactant is introduced into the cooler region of the plasma stream, the amount of undesirable thermally generated oxides is reduced.
(FR) Sont divulgués un appareil et un procédé de traitement d'un courant d'effluent provenant d'un outil de traitement de semi-conducteur. L'appareil de réduction de plasma est destiné à traiter un courant d'effluent provenant d'un outil de traitement de semi-conducteur, l'appareil de réduction de plasma comprenant : un dispositif à plasma configuré pour générer un courant de plasma à partir d'un gaz plasma; une ouverture de courant d'effluent configurée pour transporter le courant d'effluent dans le courant de plasma pour un traitement par le courant de plasma; une première ouverture positionnée pour distribuer un réactif réducteur à une première région du courant de plasma; et une seconde ouverture positionnée pour distribuer un réactif oxydant à une seconde région du courant de plasma, la seconde région étant située à une position du courant de plasma plus froide que la première région. Ainsi, le réactif réducteur est introduit dans une région plus chaude du courant de plasma et le réactif oxydant est introduit dans une région plus froide du courant de plasma. Ceci permet à la réaction de réduction d'être plus efficace puisque le réactif réducteur est présent dans la région plus chaude et puisque l'absence du réactif oxydant dans cette région plus chaude réduit la présence d'oxydes indésirables créés thermiquement. De même, l'introduction du réactif oxydant aide à éliminer les sous-produits générés par la réaction de réduction, et étant donné que le réactif oxydant est introduit dans la région plus froide du courant de plasma, la quantité d'oxydes générés thermiquement indésirables est réduite.
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