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1. WO2022088781 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2022/088781
Publication Date 05.05.2022
International Application No. PCT/CN2021/107866
International Filing Date 22.07.2021
IPC
H01L 27/108 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
Applicants
  • 长鑫存储技术有限公司 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • 李昇 LI, Sheng
  • 陈洋 CHEN, Yang
Agents
  • 北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Priority Data
202011155898.126.10.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
(ZH) 半导体结构及其形成方法
Abstract
(EN) A semiconductor structure and a forming method therefor, which relate to the technical field of semiconductors. The forming method comprises: providing a substrate (1) which comprises an array region (11) and a peripheral region (12), wherein an element dielectric layer (2) is formed in the array region (11); simultaneously forming a first insulating dielectric layer (3) in the array region (11) and the peripheral region (12), and etching the first insulating dielectric layer (3) and the element dielectric layer (2) in the array region (11), so as to form a plurality of trenches (31); filling the trenches (31) to form reference isolation structures (311); performing etching-back processing on the reference isolation structures (311) and the first insulating dielectric layer (3), so as to form isolation structures (312); forming a second insulating dielectric layer (4) in the array region (11) and the peripheral region (12); patterning the second insulating dielectric layer (4), so as to expose the first insulating dielectric layer (3) in the array region (11); removing the first insulating dielectric layer (3) in the array region (11), so as to form a contact window (32); and removing the second insulating dielectric layer (4), and forming a contact material (5) in the contact window (32). By means of the forming method for a semiconductor structure, structural defects can be prevented from being produced, thereby improving the product yield.
(FR) L'invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation, qui se rapportent au domaine technique des semi-conducteurs. Le procédé de formation comprend les étapes consistant à : utiliser un substrat (1) qui comprend une région de réseau (11) et une région périphérique (12), une couche diélectrique d'élément (2) étant formée dans la région de réseau (11) ; former simultanément une première couche diélectrique isolante (3) dans la région de réseau (11) et la région périphérique (12), et graver la première couche diélectrique isolante (3) et la couche diélectrique d'élément (2) dans la région de réseau (11), de manière à former une pluralité de tranchées (31) ; remplir les tranchées (31) pour former des structures d'isolation de référence (311) ; effectuer un traitement de rétrogravure sur les structures d'isolation de référence (311) et la première couche diélectrique isolante (3), de manière à former des structures d'isolation (312) ; former une seconde couche diélectrique isolante (4) dans la région de réseau (11) et la région périphérique (12) ; former des motifs sur la seconde couche diélectrique isolante (4), de manière à exposer la première couche diélectrique isolante (3) dans la région de réseau (11) ; retirer la première couche diélectrique isolante (3) dans la région de réseau (11), de manière à former une fenêtre de contact (32) ; et retirer la seconde couche diélectrique isolante (4), et former un matériau de contact (5) dans la fenêtre de contact (32). Au moyen du procédé de formation pour une structure semi-conductrice, il est possible d'empêcher la production de défauts structuraux, ce qui permet d'améliorer le rendement du produit.
(ZH) 一种半导体结构及其形成方法,涉及半导体技术领域。该形成方法包括:提供包括阵列区(11)和外围区(12)的衬底(1),阵列区(11)上形成有元件介质层(2);在阵列区(11)和外围区(12)同时形成第一绝缘介质层(3),蚀刻阵列区(11)内的第一绝缘介质层(3)和元件介质层(2),以形成多个沟槽(31);对沟槽(31)进行填充,形成参考隔离结构(311);对参考隔离结构(311)和第一绝缘介质层(3)进行回蚀刻处理,形成隔离结构(312);在阵列区(11)和外围区(12)形成第二绝缘介质层(4);图案化第二绝缘介质层(4),以暴露出阵列区(11)的第一绝缘介质层(3);去除阵列区(11)内的第一绝缘介质层(3),以形成接触窗(32);去除第二绝缘介质层(4),并在接触窗(32)中形成接触材料(5)。上述半导体结构的形成方法可防止结构缺陷的产生,提高产品良率。
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