(EN) Provided are a film deposition device and a film deposition method by which a GaN film can be deposited with high productivity. A film deposition device 1 according to an embodiment of the present invention has: a GaN film deposition processing unit 40A which has a chamber 20 the interior of which can be evacuated, a rotary table 31 disposed inside the chamber 20, holding workpieces 10, and conveying the workpieces 10 in a circulating manner along a circumferential track, a target made of a GaN-containing film deposition material, and a plasma generator for generating plasma of a sputtering gas G1 introduced between the target and the rotary table, and which causes particles of a film deposition material containing GaN and Ga to be deposited by means of sputtering onto the workpieces 10 being conveyed in the circulating manner by the rotary table 31; and a nitriding processing unit 50 which nitrides the particles of the film deposition material deposited by the GaN film deposition processing unit 40A onto the workpieces 10 being conveyed in the circulating manner by the rotary table 31.
(FR) L'invention concerne un dispositif de dépôt de film et un procédé de dépôt de film permettant de déposer un film de GaN avec une productivité élevée. Un dispositif de dépôt de film (1) selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : une unité de traitement de dépôt de film de GaN (40A) qui comporte une chambre dont l'intérieur peut être mis sous vide, une table rotative (31) disposée à l'intérieur de la chambre (20), qui reçoit des pièces (10) et transporte les pièces (10) de manière circulante le long d'une piste circonférentielle, une cible constituée d'un matériau de dépôt de film contenant du GaN, et un générateur de plasma pour générer un plasma d'un gaz de pulvérisation cathodique (G1) introduit entre la cible et la table rotative, et qui amène des particules d'un matériau de dépôt de film contenant du GaN et du Ga à être déposées par pulvérisation cathodique sur les pièces (10) qui sont transportées de manière circulante par la table rotative (31) ; et une unité (50) de traitement de nitruration qui nitrure les particules du matériau de dépôt de film déposées par l'unité de traitement de dépôt de film de GaN (40A) sur les pièces (10) transportées de manière circulante par la table rotative (31).
(JA) 高い生産性でＧａＮ膜を成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供する。実施形態に係る成膜装置１は、内部を真空とすることが可能なチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられ、ワーク１０を保持し、円周の軌跡でワーク１０を循環搬送する回転テーブル３１と、ＧａＮを含む成膜材料から成るターゲットと、前記ターゲットと前記回転テーブルとの間に導入されるスパッタガスＧ１をプラズマ化するプラズマ発生器とを有し、回転テーブル３１により循環搬送されるワーク１０に、スパッタリングによりＧａＮ及びＧａを含む成膜材料の粒子を堆積させるＧａＮ成膜処理部４０Ａと、回転テーブル３１により循環搬送されるワーク１０に、ＧａＮ成膜処理部４０Ａにおいて堆積された成膜材料の粒子を窒化させる窒化処理部５０と、を有する。
