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1. WO2022068259 - RESISTIVE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Publication Number WO/2022/068259
Publication Date 07.04.2022
International Application No. PCT/CN2021/099629
International Filing Date 11.06.2021
IPC
H01L 45/00 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
CPC
H01L 45/1206
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
1206Three or more terminal devices, e.g. transistor like devices
H01L 45/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
Applicants
  • 杭州未名信科科技有限公司 HANGZHOU WEIMING XINKE TECHNOLOGY CO., LTD [CN]/[CN]
  • 浙江省北大信息技术高等研究院 ADVANCED INSTITUTE OF INFORMATION TECHNOLOGY (AIIT) , PEKING UNIVERSITY [CN]/[CN]
Inventors
  • 肖韩 XIAO, Han
  • 黄如 HUANG, Ru
Agents
  • 北京辰权知识产权代理有限公司 BEIJING CHEN QUAN INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Priority Data
202011046368.329.09.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) RESISTIVE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) MÉMOIRE RÉSISTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种阻变式存储器及其制造方法
Abstract
(EN) Disclosed are a resistive memory and a manufacturing method therefor. The memory comprises: a substrate (1), an ion injection region (2), a gate oxide layer (3), a gate electrode (4), a silicide block (5), a metal lead (6), a resistive unit (7) and a silicification prevention layer (8), wherein the silicification prevention layer (8) is located between the silicide block (5) and the gate oxide layer (3), and covers at least part of the ion injection region (2) and the gate electrode (4). By means of the present invention, a silicification prevention layer is introduced into an S/D region of a transistor, such that the distribution of a high-voltage electric field in the transistor can be reconstructed, and an effective source-drain voltage of a field-effect transistor is reduced, thereby improving the voltage withstanding capability of an MOSFET while ensuring a gate length.
(FR) L'invention concerne une mémoire résistive et son procédé de fabrication La mémoire comprend : un substrat (1), une région d'injection d'ions (2), une couche d'oxyde de grille (3), une électrode de grille (4), un bloc de siliciure (5), un fil métallique (6), une unité résistive (7) et une couche de prévention de silicification (8), la couche de prévention de silicification (8) étant située entre le bloc de siliciure (5) et la couche d'oxyde de grille (3), et recouvrant au moins une partie de la région d'injection d'ions (2) et de l'électrode de grille (4). Au moyen de la présente invention, une couche de prévention de silicification est introduite dans une région S/D d'un transistor, de telle sorte que la distribution d'un champ électrique à haute tension dans le transistor peut être reconstruite, et une tension de source-drain efficace d'un transistor à effet de champ est réduite, ce qui permet d'améliorer la capacité de résistance à la tension d'un MOSFET tout en garantissant une longueur de grille.
(ZH) 本发明公开了一种阻变式存储器及其制造方法,所述存储器包括:衬底(1)、离子注入区(2)、栅极氧化物层(3)、栅极(4)、硅化物块(5)、金属引线(6)、阻变单元(7)、硅化阻止层(8);其中,硅化阻止层(8)位于硅化物块(5)及栅极氧化物层(3)之间,并覆盖离子注入区(2)的至少一部分及栅极(4)。本发明通过在晶体管的S/D区域引入硅化阻止层,能重构高压电场在晶体管的分布,降低了场效应管的有效源漏电压,从而在保证栅长的前提下,提高了MOSFET的耐压能力。
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