Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022068126 - METHOD FOR OPERATING STORAGE UNIT, METHOD FOR OPERATING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY, AND ELECTRONIC DEVICE

Publication Number WO/2022/068126
Publication Date 07.04.2022
International Application No. PCT/CN2021/073534
International Filing Date 25.01.2021
IPC
G11C 13/00 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
CPC
G11C 13/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
Applicants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventors
  • 许晓欣 XU, Xiaoxin
  • 余杰 YU, Jie
  • 董大年 DONG, Danian
  • 余兆安 YU, Zhaoan
  • 吕杭炳 LV, Hangbing
Agents
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Priority Data
202011069668.330.09.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) METHOD FOR OPERATING STORAGE UNIT, METHOD FOR OPERATING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'EXPLOITATION D'UNITÉ DE STOCKAGE, PROCÉDÉ D'EXPLOITATION DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(ZH) 存储单元和阻变存储器的操作方法、电子设备
Abstract
(EN) A method for operating a storage unit, a method for operating a resistive random access memory, and an electronic device. The method for operating a storage unit comprises performing write and erase operations on a resistive device. The write operation comprises: applying a write voltage to the resistive device, and determining whether a resistance value of the resistive device reaches a low resistance state threshold value; and when the resistance value of the resistive device reaches the low resistance state threshold value, applying a constant current to the resistive device, wherein a voltage value generated by the constant current on the resistive device is less than a voltage value of the write voltage. The erase operation comprises: applying an erase voltage to the resistive device, and determining whether the resistance value of the resistive device reaches a reference resistance value; and when the resistance value of the resistive device reaches the reference resistance value, applying a constant voltage to the resistive device, wherein a voltage value of the constant voltage is less than a voltage value of the erase voltage. The retention capability of a device in a low resistance state is improved, the uniformity and a data retention characteristic of a resistive device are improved, and the durability of the device is also improved.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'exploitation d'une unité de stockage, un procédé d'exploitation d'une mémoire vive résistive, et un dispositif électronique. Le procédé d'exploitation d'une unité de stockage comprend la réalisation d'opérations d'écriture et d'effacement sur un dispositif résistif. L'opération d'écriture fait appel aux étapes suivantes : l'application d'une tension d'écriture au dispositif résistif, et la détermination quant au fait de savoir si une valeur de résistance du dispositif résistif atteint une valeur seuil d'état de faible résistance ; et lorsque la valeur de résistance du dispositif résistif atteint la valeur seuil d'état de faible résistance, l'application d'un courant constant au dispositif résistif, une valeur de tension générée par le courant constant sur le dispositif résistif étant inférieure à une valeur de tension de la tension d'écriture. L'opération d'effacement fait appel aux étapes suivantes : l'application d'une tension d'effacement au dispositif résistif, et la détermination quant au fait de savoir si la valeur de résistance du dispositif résistif atteint une valeur de résistance de référence ; et lorsque la valeur de résistance du dispositif résistif atteint la valeur de résistance de référence, l'application d'une tension constante au dispositif résistif, une valeur de tension de la tension constante étant inférieure à une valeur de tension de la tension d'effacement. La capacité de rétention d'un dispositif dans un état de faible résistance est améliorée, l'uniformité et une caractéristique de rétention de données d'un dispositif résistif sont améliorées, et la durabilité du dispositif est également améliorée.
(ZH) 一种存储单元和阻变存储器的操作方法、电子设备,上述存储单元的操作方法包括: 对阻变器件进行写入和擦除操作。写入操作包括: 在阻变器件上施加写入电压,并确定阻变器件的电阻值是否达到低阻态阈值; 在阻变器件的电阻值达到低阻态阈值的情况下,在阻变器件上施加恒定电流,该恒定电流在阻变器件上产生的电压值小于写入电压的电压值。擦除操作包括: 在阻变器件上施加擦除电压,并确定阻变器件的电阻值是否达到参考阻值; 在阻变器件的电阻值达到参考阻值的情况下,在阻变器件上施加恒定电压,恒定电压的电压值小于擦除电压的电压值。提高了器件在低阻态的保持能力,提高了阻变器件的均一性和数据保持特性,并且还提高了器件的耐久性。
Latest bibliographic data on file with the International Bureau