Processing

Please wait...

Settings

Settings

Goto Application

1. WO2022048074 - SENSE AMPLIFIER, MEMORY, AND METHOD FOR CONTROLLING SENSE AMPLIFIER

Publication Number WO/2022/048074
Publication Date 10.03.2022
International Application No. PCT/CN2020/139653
International Filing Date 25.12.2020
IPC
G11C 7/08 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits
08Control thereof
G11C 7/06 2006.1
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits
CPC
G11C 7/062
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
062Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
G11C 7/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06Sense amplifiers; Associated circuits, ; e.g. timing or triggering circuits
08Control thereof
Applicants
  • 安徽大学 ANHUI UNIVERSITY [CN]/[CN]
  • 长鑫存储技术有限公司 CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventors
  • 蔺智挺 LIN, Zhiting
  • 温光雷 WEN, Guanglei
  • 何军 HE, Jun
  • 应战 YING, Zhan
  • 李新 LI, Xin
  • 曹堪宇 CAO, Kanyu
  • 卢文娟 LU, Wenjuan
  • 彭春雨 PENG, Chunyu
  • 吴秀龙 WU, Xiulong
  • 陈军宁 CHEN, Junning
Agents
  • 北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Priority Data
202010902476.X01.09.2020CN
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) SENSE AMPLIFIER, MEMORY, AND METHOD FOR CONTROLLING SENSE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION, MÉMOIRE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION
(ZH) 灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法
Abstract
(EN) A sense amplifier, a memory, and a method for controlling a sense amplifier, which relate to the technical field of semiconductor memories. The sense amplifier (1) comprises: an amplification module (11) used to read data of a storage unit; and a control module (12) electrically connected to the amplification module (11), wherein at a first offset compensation stage of the sense amplifier (1), the control module (12) is used to configure the amplification module (11) to comprise a first phase inverter and a second phase inverter; the first phase inverter and the second phase inverter are both phase inverters with inputs connected to outputs; and at a second offset compensation stage of the sense amplifier (1), the control module (12) is used to configure the amplification module (11) to comprise a current mirror structure. The structure can realize the offset compensation of the sense amplifier (1), thereby improving the performance of a semiconductor memory.
(FR) Amplificateur de détection, mémoire, et procédé de commande d'amplificateur de détection, se rapportant au domaine technique des mémoires à semi-conducteurs. L'amplificateur de détection (1) comprend : un module d'amplification (11) utilisé pour lire des données d'une unité de stockage ; et un module de commande (12) électriquement connecté au module d'amplification (11), au niveau d'un premier étage de compensation de décalage de l'amplificateur de détection (1), le module de commande (12) étant utilisé pour configurer le module d'amplification (11) afin qu'il comprenne un premier inverseur de phase et un second inverseur de phase ; le premier inverseur de phase et le second inverseur de phase étant tous deux des inverseurs de phase avec des entrées connectées à des sorties ; et au niveau d'un second étage de compensation de décalage de l'amplificateur de détection (1), le module de commande (12) étant utilisé pour configurer le module d'amplification (11) afin qu'il comprenne une structure de miroir de courant. La structure peut réaliser la compensation de décalage de l'amplificateur de détection (1), ce qui permet d'améliorer les performances d'une mémoire à semi-conducteurs.
(ZH) 一种灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法,涉及半导体存储器技术领域。灵敏放大器(1)包括:放大模块(11),用于读取存储单元的数据;控制模块(12),与放大模块(11)电连接;其中,在灵敏放大器(1)的第一失调补偿阶段,控制模块(12)用于将放大模块(11)配置为包括第一反相器和第二反相器,第一反相器和第二反相器均为输入输出相连的反相器;在灵敏放大器(1)的第二失调补偿阶段,控制模块(12)用于将放大模块(11)配置为包括电流镜结构。该结构可以实现灵敏放大器(1)的失调补偿,进而提高半导体存储器的性能。
Related patent documents
Latest bibliographic data on file with the International Bureau