(EN) Provided is a plasma etching method capable of selectively etching an etching object containing an oxide of at least one among tin and indium, compared to a non-etching object. The plasma etching method comprises an etching step in which an etching gas containing an unsaturated compound having a fluorine atom and a bromine atom in the molecule is brought into contact with, in the presence of plasma, a member to be etched having an etching object to be etched by the etching gas and a non-etching object not to be etched by the etching gas, etching is performed while applying bias power greater than 0 W to a lower electrode supporting the member to be etched, and the etching object is selectively etched compared to the non-etching object. The etching object contains an oxide of at least one among tin and indium, and the non-etching object contains at least one among a silicon-containing compound and a photoresist.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure au plasma pouvant graver sélectivement un objet de gravure contenant un oxyde d'au moins un élément parmi l'étain et l'indium, par rapport à un objet de non-gravure. Le procédé de gravure au plasma comprend une étape de gravure dans laquelle un gaz de gravure contenant un composé insaturé ayant un atome de fluor et un atome de brome dans la molécule est mis en contact, en présence de plasma, avec un élément devant être gravé ayant un objet de gravure devant être gravé par le gaz de gravure et un objet de non-gravure ne devant pas être gravé par le gaz de gravure, la gravure est effectuée tout en appliquant une puissance de polarisation supérieure à 0 W à une électrode inférieure soutenant l'élément devant être gravé, et l'objet de gravure est sélectivement gravé par comparaison avec l'objet de non-gravure. L'objet de gravure contient un oxyde d'au moins un élément parmi l'étain et l'indium, et l'objet de non-gravure contient au moins un élément parmi un composé contenant du silicium et une résine photosensible.
(JA) スズ及びインジウムの少なくとも一方の酸化物を含有するエッチング対象物を非エッチング対象物に比べて選択的にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。プラズマエッチング方法は、フッ素原子及び臭素原子を分子内に有する不飽和化合物を含有するエッチングガスを、エッチングガスによるエッチングの対象であるエッチング対象物とエッチングガスによるエッチングの対象ではない非エッチング対象物とを有する被エッチング部材に、プラズマの存在下で接触させ、被エッチング部材を支持する下部電極に０Ｗ超過のバイアスパワーを印加しつつエッチングを行い、非エッチング対象物に比べてエッチング対象物を選択的にエッチングするエッチング工程を備える。エッチング対象物はスズ及びインジウムの少なくとも一方の酸化物を含有し、非エッチング対象物は含ケイ素化合物及びフォトレジストの少なくとも一方を含有する。
