(EN) Provided is a method for manufacturing a memory, comprising: providing a substrate, and forming a sacrificial layer on the substrate; patterning the sacrificial layer, and forming, on the substrate, multiple dummy bit line layers separated from each other; forming support layers filling regions between adjacent dummy bit line layers; removing the dummy bit line layers, and forming bit line spaces between adjacent support layers; forming bit line structures filling the bit line spaces, the bit line structure comprising a bit line conductive layer and a bit line insulation layer which are sequentially stacked; and removing the support layers, and forming openings between adjacent bit line layers.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire, comprenant les étapes suivantes : fourniture d'un substrat et formation d'une couche sacrificielle sur le substrat ; formation de motifs sur la couche sacrificielle et formation, sur le substrat, de multiples couches de lignes de bits factices séparées les unes des autres ; formation de couches de support remplissant des régions entre des couches de lignes de bits factices adjacentes ; enlèvement des couches de ligne de bits factices et la formation d'espaces de lignes de bits entre des couches de support adjacentes ; formation de structures de lignes de bits remplissant les espaces de lignes de bits, la structure de lignes de bits comprenant une couche conductrice de ligne de bits et une couche d'isolation de ligne de bits qui sont empilées séquentiellement ; et enlèvement des couches de support et la formation d'ouvertures entre des couches de lignes de bits adjacentes.
(ZH) 本公开提供一种存储器制作方法，包括：提供基底，在基底上形成牺牲层；图形化牺牲层，在基底上形成多个相互分立的伪位线层；形成支撑层，支撑层填充满相邻伪位线层之间的区域；去除伪位线层，形成位于相邻支撑层之间的位线空间；形成位线结构，位线结构填充位线空间，且位线结构包括依次堆叠的位线导电层以及位线绝缘层；去除支撑层，形成位于相邻位线层之间的开口。
