(EN) The present invention provides a processing liquid for processing a semiconductor wafer in a semiconductor formation process, said processing liquid containing (A) hypobromite ions, (B) a pH buffering agent and (C) onium ions represented by formula (1). (In the formula, each of R1, R2, R3 and R4 independently represents an alkyl group having from 1 to 25 carbon atoms.)
(FR) La présente invention concerne un liquide de traitement pour traiter une tranche de semi-conducteur dans un processus de formation de semi-conducteur, ledit liquide de traitement contenant (A) des ions hypobromite, (B) un agent tampon de pH et des ions onium (C) représentés par la formule (1). (Dans la formule, chacun de R1, R2, R3 et R4 représentent indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à 25 atomes de carbone.)
(JA) 半導体形成工程において半導体ウェハを処理する処理液であって、 (A)次亜臭素酸イオン、 (B)pH緩衝剤 (C)下記式(1)で表されるオニウムイオン を含む処理液を提供する。 (式中、R1、R2、R3及びR4は独立して、炭素数1~25のアルキル基である。)