(EN) Provided is a novel composition for forming a resist underlayer film, which is reduced in the amount of sublimated substances that contaminate a device, is improved in the in-plane uniform coatability of a film to be coated thereon, exhibits satisfactory resistance to a chemical solution used in a resist under layer film, and can exhibit other satisfactory properties. This composition for forming a resist underlayer film comprises: a solvent; and a polymer containing a unit structure (A) represented by formula (1) (wherein Ar1 and Ar2 independently represent a benzene ring or a naphthalene ring; R1 and R2 independently represent a group substituted by a hydrogen atom on the ring of each of Ar1 and Ar2; R4 is selected from the group consisting of a hydrogen atom, a trifluoromethyl group, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, and a heterocyclic group; R5 is selected from the group consisting of a hydrogen atom, a trifluoromethyl group, an aryl group having 6 to 40 carbon atoms, and a heterocyclic group; and n1 and n2 independently represent an integer of 0 to 3).
(FR) L'invention fournit une nouvelle composition pour formation de film de sous-couche de réserve avec laquelle la quantité de sublimé souillant un dispositif est réduite, et les propriétés d'application uniforme dans le plan d'un film de revêtement sont améliorées, et qui permet de développer d'autres caractéristiques satisfaisantes telles qu'une résistance suffisante vis-à-vis de produits chimiques mis en œuvre dans un film de sous-couche de réserve. Plus précisément, l'invention concerne une composition pour formation de film de sous-couche de réserve qui contient un solvant, et un polymère contenant à son tour une structure d'unité (A) représentée par la formule (1) (Dans la formule (1), Ar1 et Ar2 représentent chacun un cycle benzène ou un cycle naphtalène, R1 et R2 consistent chacun en des groupes substituant des atomes d'hydrogène dans les cycles de Ar1 et Ar2, R4 est choisi dans un groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe trifluorométhyle, d'un groupe aryle de 6 à 40 atomes de carbone, et d'un groupe hétérocyclique, R5 est choisi dans un groupe constitué d'un atome d'hydrogène, d'un groupe trifluorométhyle, d'un groupe aryle de 6 à 40 atomes de carbone, et d'un groupe hétérocyclique, et n1 et n2 consistent chacun en des nombres entiers de 0 à 3.).
(JA) 装置を汚染する昇華物量の低減、被覆膜の面内均一塗布性の改善、かつ、レジスト下層膜にも使用される薬液に対しても十分な耐性を示す等その他の良好な特性を発揮し得る新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。溶剤、及び下記式(1):(式(1)中、 Ar1、及びAr2はそれぞれベンゼン環、又はナフタレン環を表し、R1、及びR2はそれぞれAr1、及びAr2の環上の水素原子を置換する基であり、R4は水素原子、トリフルオロメチル基、炭素原子数6乃至40のアリール基、及び複素環基からなる群より選択され、R5は水素原子、トリフルオロメチル基、炭素原子数6乃至40のアリール基、及び複素環基からなる群より選択され、n1及びn2はそれぞれ0乃至3の整数である。) で表される単位構造(A)を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。