(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser mit einer Stromblende und insbesondere einen Diodenlaser mit einer angepassten „p-n-p"- bzw. „n-p-n"-Struktur als Stromblende zur Reduzierung der Tunnelwahrscheinlichkeit. Ein erfindungsgemäßer Diodenlaser umfasst eine aktive Schicht (16) und eine außerhalb der aktiven Schicht (16) schichtförmig ausgebildete Stromblende (30) aus einem entgegen seiner Umgebung dotierten Material für eine räumlich selektive Bestromung der aktiven Schicht (16) zwischen einem n-Substrat (10) und einem p-Kontakt (24); wobei die Stromblende (30) über eine intrinsische Außenschicht (32, 38) von angrenzenden Schichten getrennt ist.
(EN) The invention relates to a diode laser comprising a current shield and, in particular, a diode laser comprising an adapted PNP or NPN structure as a current shield for reducing tunneling probability. The diode laser according to the invention comprises an active layer (16) and a current shield (3) formed in layers outside the active layer (16) and made of a material that is doped against the environment for a spatially selective energisation of the active layer (16) between an n-substrate (10) and a p-contact (24), wherein the current shield (30) is separated from adjacent layers by an intrinsic outer layer (32, 38).
(FR) L'invention concerne un laser à diode comprenant une protection contre le courant et, en particulier, un laser à diode comprenant une structure PNP ou NPN adaptée comme protection contre le courant pour réduire la probabilité de tunnellisation. Le laser à diode selon l'invention comprend une couche active (16) et une protection contre le courant (3) formée dans des couches à l'extérieur de la couche active (16) et constituée d'un matériau qui est dopé contre l'environnement pour une excitation spatialement sélective de la couche active (16) entre un substrat n (10) et un contact p (24), la protection contre le courant (30) étant séparée de couches adjacentes par une couche externe intrinsèque (32, 38).
