(EN) Disclosed are a semiconductor structure manufacturing method and a semiconductor structure. The semiconductor structure manufacturing method comprises: providing a substrate which comprises a complete grain region and a partial grain region; forming a stack on the substrate; forming a first mask layer having a first pattern on the stack; forming a first photoresist layer on the first mask layer; removing the first photoresist layer of the complete grain region after exposure and development of the first photoresist layer; and etching the stack using the first mask layer of the complete grain region and the first photoresist layer of the partial grain region as masks.
(FR) Procédé de fabrication de structure semi-conductrice et structure semi-conductrice. Le procédé de fabrication de structure semi-conductrice consiste à : fournir un substrat qui comprend une région de grain complète et une région de grain partielle ; former un empilement sur le substrat ; former une première couche de masque présentant un premier motif sur l'empilement ; former une première couche de résine photosensible sur la première couche de masque ; retirer la première couche de résine photosensible de la région de grain complète après exposition et développement de la première couche de résine photosensible ; et graver l'empilement à l'aide de la première couche de masque de la région de grain complète et de la première couche de résine photosensible de la région de grain partielle en tant que masques.
(ZH) 本公开公开了一种半导体结构的制作方法及半导体结构,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,衬底包括完整晶粒区和非完整晶粒区;在衬底上形成叠层;在叠层上形成具有第一图案的第一掩膜层;在第一掩膜层上形成第一光刻胶层;对第一光刻胶层曝光,显影后去除完整晶粒区的第一光刻胶层;以完整晶粒区的第一掩膜层和非完整晶粒区的第一光刻胶层为掩膜对叠层进行刻蚀。