(EN) A semiconductor device and a fabrication method thereof are disclosed. The semiconductor device includes a substrate (10), a first nitride semiconductor layer on the substrate and a second nitride semiconductor layer on the first nitride semiconductor layer. The second nitride semiconductor layer has a first area and a second area, and the second nitride semiconductor layer has single crystals. The semiconductor device includes an electrode (30, 32) in contact with the first area. A first concentration of Aluminum (Al) of the first area is less than a second concentration of Al of the second area, and the single crystals in the first area take over a crystal structure of the first nitride semiconductor layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat (10), une première couche semi-conductrice de nitrure disposée sur le substrat et une seconde couche semi-conductrice de nitrure disposée sur la première couche semi-conductrice de nitrure. La seconde couche semi-conductrice de nitrure a une première zone et une seconde zone, et la seconde couche semi-conductrice de nitrure a des monocristaux. Le dispositif à semi-conducteur comprend une électrode (30, 32) en contact avec la première zone. Une première concentration d'aluminium (Al) de la première zone est inférieure à une seconde concentration d'Al de la seconde zone, et les monocristaux dans la première zone prennent sur une structure cristalline de la première couche semi-conductrice de nitrure.