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1. WO2022021102 - DIE, WAFER, AND METHOD FOR IDENTIFYING LOCATION OF DIE ON WAFER

Publication Number WO/2022/021102
Publication Date 03.02.2022
International Application No. PCT/CN2020/105317
International Filing Date 28.07.2020
IPC
H01L 21/027 2006.1
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
CPC
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Applicants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventors
  • 崔江涛 CUI, Jiangtao
  • 徐华芹 XU, Huaqin
  • 张孝坤 ZHANG, Xiaokun
Agents
  • 北京中博世达专利商标代理有限公司 BEIJING ZBSD PATENT&TRADEMARK AGENT LTD.
Priority Data
Publication Language Chinese (zh)
Filing Language Chinese (ZH)
Designated States
Title
(EN) DIE, WAFER, AND METHOD FOR IDENTIFYING LOCATION OF DIE ON WAFER
(FR) DÉ, TRANCHE ET PROCÉDÉ D'IDENTIFICATION DE L'EMPLACEMENT D'UN DÉ SUR UNE TRANCHE
(ZH) 晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法
Abstract
(EN) The present invention relates to the field of chips. Provided in embodiments of the present invention are a die, a wafer, and a method for identifying a location of a die on a wafer. Provided is a novel method for identifying a location of a die on a wafer. A die comprises location identifiers formed thereon. The location identifiers are used to indicate a location of the die on a wafer. The location identifiers include a first location identifier and a second location identifier. The first location identifier is used to indicate a location of a region on the wafer covered by a second mask. The second mask is used to form the second location identifier on a die within the covered region. The second location identifier is used to indicate a location of the die within the covered region. The first mask is used to form the first location identifier by one exposure process. The second mask is used to form second location identifiers on dies within the same covered region by one exposure process. The first location identifier and the second location identifier are respectively formed on different material layers of the die.
(FR) La présente invention concerne le domaine des puces. Dans des modes de réalisation de la présente invention, un dé, une tranche et un procédé d'identification d'un emplacement d'un dé sur une tranche sont décrits. Un nouveau procédé d'identification d'un emplacement d'un dé sur une tranche est décrit. Des identifiants d'emplacement sont formés sur un dé. Les identifiants d'emplacement sont utilisés pour indiquer un emplacement du dé sur une tranche. Les identifiants d'emplacement comprennent un premier identifiant d'emplacement et un second identifiant d'emplacement. Le premier identifiant d'emplacement est utilisé pour indiquer un emplacement d'une région sur la tranche recouverte par un second masque. Le second masque est utilisé pour former le second identifiant d'emplacement sur un dé à l'intérieur de la région couverte. Le second identifiant d'emplacement est utilisé pour indiquer un emplacement du dé à l'intérieur de la région couverte. Le premier masque est utilisé pour former le premier identifiant d'emplacement par un processus d'exposition. Le second masque est utilisé pour former des seconds identifiants d'emplacement sur des dés à l'intérieur de la même région couverte par un processus d'exposition. Le premier identifiant d'emplacement et le second identifiant d'emplacement sont respectivement formés sur différentes couches de matériau du dé.
(ZH) 本申请的实施例提供一种晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法,涉及芯片领域,该提供一种新型的在晶圆上标识晶粒位置的方式。该包含制作于所述晶粒上的位置标识;位置标识用于指示晶粒在晶圆上的位置;位置标识包括第一位置标识及第二位置标识;第一位置标识用于指示第二光罩在晶圆上覆盖区域的位置,其中,第二位置标识由第二光罩制作于覆盖区域内的晶粒上;第二位置标识用于指示晶粒在所述覆盖区域内的位置;其中,第一位置标识采用第一光罩通过一次曝光工艺制作,同一个覆盖区域内的晶粒上的第二位置标识采用第二光罩通过一次曝光工艺制作;第一位置标识和第二位置标识分别制作于晶粒上的不同层的材料层。
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